XPS谱图中有机物中Si-O-Si的键位
XPS谱图中有机物中Si-O-Si的键位
结果表明,SiO0.6电极的不可逆平台对应于不可逆块状锂化,但在Si中有表面SEI的形成,在电位高于0.55 V时没有发生大块的锂化。如图2c和d中的XPS深度剖面进一步证实了TOF-SIMS的观测结果,在Ar+溅射12 s后,Si电极中的Li 1s信号消失,而在SiO0.6电极中,Li 1s信号在整个溅射深度内始终存在。ToF-SIMS和XPS结果表明,SiO...
第6期卢铁城等:si基体上双层Ti一0薄膜的xPs和AEs分蜒塞翌 变化导致的化学位移来了解元素所处的化学态.这就是XPS测量的 基本原理. 处于激发态的原子经内部转换过程将能量转移至较外层电子,使其 发射,测量该电子能 量分布图即为俄歇电子谱.AES和离子溅射蚀刻剥层技术结合起来 ...
XPS分峰拟合采用射频磁控溅射法在RB SiC陶瓷基片上制备了无定型Si-C-O-N涂层,利用XPS分析了涂层的组成元素以及相应的结合状态.结果表明:离子轰击对Si,C和N的化学位移影响较大:经过离子轰击后Si-C和Si-N键所占比例上升,而Si-O键则稍有减少;C sp2有所上升,而C-Si键和C-N键则有所下降;N-Si键上升,而N-...
Si-Ti-C-O纤维的XPS研究 王亦菲;冯春祥;宋永才 【期刊名称】《宇航材料工艺》 【年(卷),期】1999(029)006 【摘要】运用XPS分析手段系统研究了Si-Ti-C-O纤维的组成及其结构,并与SiC纤维进行比较.讨论了引入Ti后纤维的组成与结构的变化及其与性能的关系. 【总页数】4页(P30-33) 【作者】王亦菲;冯春祥;宋...
(a) O 1s高分辨率XPS谱图; (b) Mt与F-Mt的IR谱图; (c) NaF对MMT的刻蚀过程; (d)和(e) Mt与F-Mt的CV曲线和阻抗曲线。 二:F-Mt对Pb2+的吸附性能及吸附机理 ▲图4: (a) F-Mt用量、时间、温度和pH对Pb2+去除...
图2. 样品的 (a) XRD谱图、(b) 拉曼光谱、(c) FT-IR光谱、(d) 氮气等温吸脱附曲线和 (e-i) XPS谱图 图3. (a) CV曲线、(b-d) LSV曲线、(e) 催化剂极限电流密度和半波电位对比、(f) Tafel斜率、(g-h) K-L曲线、(i)H2O2电流(插图为过氧化氢产率和电子转移数曲线)、(j) EIS曲线、(k) ...
通过硅氧碳键(Si-O-C)将两个内铵盐型碳菁染料在硅表面化学成膜,利用表面增强喇曼光谱(SERS)和X射线光电子能谱(XPS)确证 … d.wanfangdata.com.cn|基于13个网页 2. 聚硅氧烷聚醚 ...油、二甲基硅油、苯基硅油、疏水二氧化硅(白炭黑)、聚硅氧烷聚醚(-Si-O-C-)等。
图2. (a) XRD谱图、(b) 拉曼光谱、(c) FT-IR光谱、(d) 润湿性测试、(e) 氮气等温吸脱附曲线、(f)29Si NMR和 (g-l) XPS谱图。 图3. (a) CV曲线、(b)Cdl曲线、(c) LSV曲线、(d)H2O2电流响应测试、(e) 过氧化氢产率和电子转移数曲线、(f) Tafel斜率、(g) EIS曲线、(h) 耐甲醇测试、(...