对这个东西测试了XPS，分峰图中出现Si-O-C的峰，原本以为是PDMS的-OH与淀粉的活性-OH脱水反应 但是...
图2 XPS线扫的方向 图3 XPS线扫所得Si 2p谱图,说明共聚物层超薄,是纳米级别 图4 样品两端的C 1s谱图 Si 2p的谱图不随分析位置而改变,但是C 1s谱图随分析位置而变化,一端是1,7辛二烯末端的烃,另一端含有C-O和O=C-O,证明了共聚物的组成与图一预期相符。 图5 不同元素的原子百分比随分析位置的变化...
利用光电子能谱仪测定芸豆子叶和种皮,并对其谱图进行了分析和比较。结果表明,芸豆的子叶主要是由C、O、N 元素组成。黑芸豆子叶中氧碳物质的量比( nO /nC) 最高,为0.26。芸豆的种皮除了有C、O、N 还有Si、Ca、Zn 元素,Si、Ca和Zn的含量超过子叶中的含量,花芸豆种皮氧碳物质的量比最高,为0.22。红芸豆、...
每种元素都有唯一的一套能级,XPS技术通过测定谱中不同元素的结合能来进行元素组成的鉴别,对于化学组成不确定的样品,应作全谱扫描以初步判定表面的全部或大部分化学元素。 一般情况下,首先鉴别普遍存在元素的谱线,特别是C和O的谱线;其次,鉴别样品中主要元素的强谱线和有关的次强谱线;最后,鉴别剩余的弱谱线。 如果...
而在损伤点,表面的C,O含量很高,而Si, N元素的含量却比较低;c. 说明在损伤区发生了Si3N4薄膜的分解。(2)线扫描分析俄歇线扫描线扫描分析可以在微观和宏观的范围内进行(1～6000微米),可以了解一些元素沿某一方向的分布情况。横坐标为线扫描宽度,纵坐标为元素的信号强度(3)面扫描:元素面分布分析可以把某个元素...
采用射频磁控溅射法在RB SiC陶瓷基片上制备了无定型Si-C-O-N涂层,利用XPS分析了涂层的组成元素以及相应的结合状态.结果表明:离子轰击对Si,C和N的化学位移影响较大:经过离子轰击后Si-C和Si-N键所占比例上升,而Si-O键则稍有减少;C sp2有所上升,而C-Si键和C-N键则有所下降;N-Si键上升,而N-C键略有下降...
石墨烯的C 1s峰常常会出现两个不同位置的分峰,分别对应于sp2杂化碳原子和sp3杂化碳原子。 2. O 1s峰:石墨烯XPS光谱中的O 1s峰通常来自于石墨烯表面的氧化物或含氧功能化基团。该峰通常出现在530-540 eV能量范围内。 3. Si 2p峰:如果石墨烯是在硅衬底上生长的,那么XPS光谱中可能会出现Si 2p峰。该峰...
a. 在正常样品区,表面主要有Si, N以及C和O元素存在; b. 而在损伤点,表面的C,O含量很高,而Si, N元素的含量却比较低; c. 说明在损伤区发生了Si3N4薄膜的分解。 (2)线扫描分析 俄歇线扫描线扫描分析可以在微观和宏观的范围内进行(...
由表格中1#、2#样品各元素相对含量对比,可看出经酸化处理的2#碳纳米管样品中C-O、C=O等亲水基团的含量明显升高。 4.3 3#样品表面元素含量分析 对样品代表性点进行数据采集,发现样品表面除了C元素及少量的O元素外,以及微量的Na、Si、Cl元素。为了对3#样品C元素进行更加准确的化学态表征,采用1#样品碳元素作参考...
(2)鉴别总是存在的元素谱线,如C、O的谱线; (3)鉴别样品中主要元素的强谱线和有关的次强谱线; (4)鉴别剩余的弱谱线假设它们是未知元素的最强谱线。 自旋-轨道分裂(SOS) 由于电子的轨道运动和自旋运动发生耦合后使轨道能级发生分裂。对于l>0的内壳层来说,用内量子数j(j=|l± ms|)表示自旋轨道分裂。即若...