这种影响使得 XPS 可以测量 Si 氧化物膜的厚度。 经过H 钝化或 H 封端处理过的硅,以 Si-H 键取代了表面 Si-Si 悬空键。这会防止形成表面氧化层。 有机硅化合物广泛用作润滑剂和脱模剂,尤其是在聚合物材料制备中。 因此,可能会在聚合物表面观察到痕量硅。
Si和NMC622电极的结果如图7所示。与XPS结果类似,无论使用何种电解质,正极光谱都表现出相似的特征,而Si负极则表现出明显的峰。这样的观察表明,负极侧的添加剂分解更严重,对整体电池性能的影响更大。在原始Si电极上,在1722 cm-1和13...
XPS谱图中有机物中Si-O-Si的键位
通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)对薄氧化物层的结构质量进行了比较分析，并与不同的清洗程序所产生的影响有关，这些都是基于标准的RCA方法加上高频溶液蚀刻法，所得结果表明，红外技术能够理解所涉及的现象和完成XPS分析。
在XPS分析中,有一种常用的分峰检测方法,叫做Si分峰检测。该方法是XPS技术中的一种高峰分辨率技术,主要用于分析样品中是否存在Si元素,并进一步分析该元素的化学状态。 Si分峰检测原理是利用X射线对样品表面进行轰击,使其中的Si元素逸出,并随着光电子发射出去。接收光电子的探测器会记录光电子的能量和数目,根据光电子...
与XPS结果类似,无论使用何种电解质,正极光谱都表现出相似的特征,而Si负极则表现出明显的峰。这样的观察表明,负极侧的添加剂分解更严重,对整体电池性能的影响更大。在原始Si电极上,在1722 cm-1和1355 cm-1处观察到的两个峰可分别归因于来自聚酰亚胺粘合剂的C=O和C-N键,这与XPS结果一致(图6)。而对于...
XPS谱图中有机物中Si-O-Si的键位
清洗步骤顺序,特别是最后一步,表面处理不仅强烈影响生长速率,而且强烈影响整体氧化物和Si/Sio2界面的性质,通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)对薄氧化物层的结构质量进行了比较分析,并与不同的清洗程序所产生的影响有关,这些都是基于标准的RCA方法加上高频溶液蚀刻法,所得结果表明,红外技术能够理解所涉及的现象和完成XPS...
结合XRD和XPS结果分析,通过简单混入Li4.4Si的方式制备Li4.4Si-nSi负极,Li4.4Si与nSi负极在浆料涂覆过程中不可避免存在一定的相互作用,但Li4.4Si与nSi反应程度相对较弱,一方面可缓解不可逆Li-Si-O键生成导致的Li+损失,同时在后续长循环过...
Si/InP键合界面的研究 【中文文摘】应用疏水处理方法成功实现了Si/InP的键合,然后通过对InP和Si的表面XPS能谱分析得到界面信息,从而了解键合机理。I-V曲线也反应了键合界面的性质,通过450、... 陈松岩,何国荣,谢生 - 《半导体光电》 被引量: 6发表: 2004年 ...