在XPS分析中,有一种常用的分峰检测方法,叫做Si分峰检测。该方法是XPS技术中的一种高峰分辨率技术,主要用于分析样品中是否存在Si元素,并进一步分析该元素的化学状态。 Si分峰检测原理是利用X射线对样品表面进行轰击,使其中的Si元素逸出,并随着光电子发射出去。接收光电子的探测器会记录光电子的能量和数目,根据光电子能谱图,可以得出Si元素的化学状
(c、d)Si/TiO2/rGO 的 TEM 图像 图4:(a) Si/TiO2/rGO 的 XPS 光谱。Si/TiO2/rGO 的 (b) C 1s、(c) N 1s、(d) Si 2p、(e) Ti 2p 和 (f) O 1s 的 XPS 分峰拟合光谱图。 图5. 经过 200 次循环(电流密度...
(c、d)Si/TiO2/rGO 的 TEM 图像 图5:(a) Si/TiO2/rGO 的 XPS 光谱。Si/TiO2/rGO 的 (b) C 1s、(c) N 1s、(d) Si 2p、(e) Ti 2p 和 (f) O 1s 的 XPS 分峰拟合光谱图。 图6. 经过 200 次循环(电流密度:200 mA g-1)后,Si/TiO2/rGO 薄膜在不同放大倍数下的扫描电镜图像。 3小结...
此外，还提供了Si/TiO2/rGO的透射电镜图像，包括(c)和(d)部分，进一步揭示了材料内部的精细结构。图4展示了Si/TiO2/rGO的XPS光谱，以及各元素的XPS分峰拟合光谱图。其中包括(a)全谱图，以及(b)C 1s、(c)N 1s、(d)Si 2p、(e)Ti 2p和(f)O 1s的详细分峰拟合结果。这些光谱图为进一步了解材料中的元素...
图5:(a) Si/TiO2/rGO 的 XPS 光谱。Si/TiO2/rGO 的 (b) C 1s、(c) N 1s、(d) Si 2p、(e) Ti 2p 和 (f) O 1s 的 XPS 分峰拟合光谱图。 图6. 经过 200 次循环(电流密度:200 mA g-1)后,Si/TiO2/rGO 薄膜在不同放大倍数下的扫描电镜图像。
【关键词】射频磁控溅射法,Si-C-O-N 涂层,XPS,分峰拟合中图分类号 :O433.4 文献标识码 :A0 引言SiC 除了用作结构陶瓷外,还可以用来制作各种小型卫星、侦察相机等的反射镜[1-3] 。RB SiC(reaction-bonded SiC)由于近乎完全致密、制备成本较低和可以近净尺寸烧结而被普遍采用[4-5] 。但是 RB SiC 陶瓷在...
XPS分峰处理结果显示,Li2CO3对应的峰值较低,LiF对应的峰值较高,以及P-O键的存在均是形成了稳定的固体电解质薄膜(SEI)的证明,进一步证实,最终得到的ST-2@MXene@CMS电极具有稳定的电极结构。 【全文小结】 1. ST-2@MXene@CMS电极...
对这个东西测试了XPS，分峰图中出现Si-O-C的峰，原本以为是PDMS的-OH与淀粉的活性-OH脱水反应 但是...
射频磁控溅射法 Si-X-O-N涂层 XPS 分峰拟合 摘要: 采用射频磁控溅射法在RB SiC陶瓷基片上制备了无定型Si-C-O-N涂层,利用XPS分析了涂层的组成元素以及相应的结合状态.结果表明:离子轰击对Si、C和N的化学位移影响较大:经过离子轰击后Si-C和Si-N键所占比例上升,而Si-O键则稍有减少; C Sp<'2>有所上升,...
c) N 1s、(d) Si 2p、(e) Ti 2p以及(f) O 1s的XPS分峰拟合光谱图。图 在200次循环后（电流密度：200 mA g-1），通过扫描电镜观察Si/TiO2/rGO薄膜在不同放大倍数下的形态。总结 综上所述，我们成功制备了无需粘结剂和导电剂的自立式Si/TiO2/rGO薄膜电极。这种自立结构设计赋予了Si/TiO2/rGO薄膜出色...