ii型能带排列(type-ii band alignment)的半导体异质结 半导体异质结是由两个不同材料的半导体构成的结构,其中每个材料的能带结构不同。能带排列是指异质结中能带边缘的对齐方式。在ii型能带排列中,导带的最低能级和价带的最高能级分别位于两个半导体中,这意味着电子和空穴在异质结中分别是在不同的半导体中迁移。
2.1 ii型能带排列概念解释: ii型能带排列是指在半导体异质结中,导带和价带的边界发生了反转,即导带和价带在空间分布上相互交叠或发生错位。与i型能带排列不同,ii型能带排列在异质结中形成了一个电子束缚态,这种电子束缚态能够限制电子的移动并引起诸如增强光吸收、光致发光等现象。 2.2 半导体异质结介绍: 半导体异...
是能带台阶的一种，半导体和半导体或金属接触的时候会出现能带台阶，包括导带台阶和价带台阶，然后根据台阶...
从能带结构分的，成阶梯状的是2，另一种就是1，可以google一下，有综述
1. 能带对齐(Band Alignment): 异质结两侧材料的导带和价带相对位置不同,导致能带对齐。能带对齐可以是类型I(没有能带弯曲),类型II(一个能带有弯曲),或类型III(两个能带都有弯曲)。 2. 势垒高度(Barrier Height): 在异质结界面处,由于能带差异,会形成一个势垒,阻碍电子或空穴的传输。势垒高度决定了...
The band alignment, measured by high-resolution X-ray photoelectron spectroscopy, suggested the successful design of type-I SnS 2 /Bi 2 Se 3 and type-II SnS 2 /Bi 2 Te 3 heterostructures. The SnS 2 /Bi 2 X 3 heterostructure greatly improved the photoelectric response of a ...
Evidence for type I band alignment in GaNAs/GaAs quantum structures by optical spectroscopies 机译:GaNAs / GaAs量子结构中I型能带对准的光谱学证据 获取原文 获取原文并翻译 | 示例 获取外文期刊封面封底 >> 开具论文收录证明 >> 文献代查 >> 页面...
The van der Waals heterojunction is a research frontier and hotspot in 2D materials, especially for its band alignment method, which determines the essential electronic behaviors. Using a first-principles approach based on density functional theory, the structural stability and electronic properties of ...
The kind of interface atom can affect the electronic properties of heterojunctions, resulting in interface-controlled band alignment (BA) type. Since the conduction band minimum states of the SnS2/SSnSe system contain the contribution of both SSnSe and SnS2 layers, this system is not suitable ...
如题，真心求教，如有文献提供更好，谢谢！