包装 TO-220AB-3 导通电阻 1 最小包装量 Tube 工作温度 + 175 C 栅极电荷(Qg@Vgs) 1 反向传输电容(Crss@Vds) 1 认证机构 q 功率(Pd) 50 可售卖地 全国 类型 IGBT 晶体管 型号 IRLML6402TRPBF 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也...
型号: SQ2398ES-T1_GE3 批号: 19+ 封装: SOT-23-3 数量: 10000 QQ: 3530488939 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 1.6 A Rds On-漏源导...
其它名称 SQ2398ES-T1_GE3-ND FET 类型 N 通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.6A(Tc) 不同Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250µA Vgs(最大值) ±20V 功率耗散(最大值) 2W(Tc) 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型 表面贴装型...
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SQ2398ES-T1_GE3-VB 描述 SOT23;N—Channel沟道,100V;2A;RDS(ON)=240mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.8V; 品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号 SQ2398ES-T1_GE3-VB 商品编号 C22395895 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.064克(g) ...
SQ2398ES-T1_GE3 安装类型 标准 描述 标准 功能应用 通用用途 零件号 SQ2398ES-T1_GE3 项目 集成电路 条件 原始100% 提前期 3-5天 包装/案例 标准 质量保证 365dys 日期代码 联系我们了解更多信息 BOM列表服务 联系我们了解更多信息 付款方式 PAYPAL \ TT \ VISA \ 贸易保证 装运方式 DHL \ UPS \...
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