免费查询更多sq2337es-t1-ge3详细参数、实时报价、行情走势、优质商品批发/供应信息等,您还可以发布询价信息。
型号 SQ2337ES-T1_GE3 技术参数 品牌: VISHAY 型号: SQ2337ES-T1_GE3 封装: SOT23 批次: 2022+ RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40C 最大工作温度: 100C 最小电源电压: 4.5V 最大电源电压: 9.5V 长度: 7.3mm 宽度: 7.6mm 高度: 2.6mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具...
价格 ¥ 0.01 起订数 1个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 SQ2337ES-T1_GE3、 VISHAY/威世、 SOT-23 商品图片 商品参数 品牌: VISHAY/威世 封装: SOT-23 批号: 23+ 数量: 10000 描述: MOSFET P-CHAN 80V SOT23 湿气敏感性等级 ...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 通信IC 商品关键词 SQ2337ES-T1_GE3、 Vishay(威世) 商品图片 商品参数 品牌: Vishay(威世) 批号: 22+ 数量: 10000 描述: MOSFET P-CHAN 80V SOT23 湿气敏感性等级 (MSL): 1(无限) 原厂标准交货期: 12 周 详细描述: 表面贴装...
品牌:Vishay(威世) 型号: SQ2337ES-T1_GE3 商品编号: DS0079210 封装规格: SOT-23-3(TO-236) 商品描述: 场效应管(MOSFET) 3W 80V 2.2A 1个P沟道 SOT-23-3 商品详情 商品介绍 场效应管(MOSFET) 3W 80V 2.2A 1个P沟道 SOT-23-3 标准包装 标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。
商品型号SQ2337ES-T1_GE3 商品编号C428742 商品封装SOT-23-3 包装方式 编带 商品毛重 0.04克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个P沟道 漏源电压(Vdss) 80V 连续漏极电流(Id) 2.2A 导通电阻(RDS(on)) - 耗散功率(Pd) 3W 属性参数值 阈值电压...
SQ2337ES-T1_GE3品牌厂家:SILICONIX,所属分类:晶体管-FET,MOSFET-单个,可在锐单商城现货采购SQ2337ES-T1_GE3、查询SQ2337ES-T1_GE3代理商; SQ2337ES-T1_GE3价格批发咨询客服;这里拥有SQ2337ES-T1_GE3中文资料、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快...
SQ2337ES-T1_GE3 数据手册 ECAD模型: 制造商: Vishay 标准包装: Product Variant Information section 3000/卷盘 Date Code: 2318 Product Specification Section Vishay SQ2337ES-T1_GE3 - 产品规格 发货信息: 该产品不能运往某些国家/地区 .查看国家列表。 ECCN: EAR99 产品变更通知: N/A ...
在淘宝,您不仅能发现SQ2337ES-T1_GE3【MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3】的丰富产品线和促销详情,还能参考其他购买者的真实评价,这些都将助您做出明智的购买决定。想要探索更多关于SQ2337ES-T1_GE3【MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3】的信息,请来淘宝深入了解吧!
SQ2337ES-T1_GE3 全球供应商 全球供应商 (2家) 刷新货币单位: 需求数量: -+ 含%增值税 供应商发货地库存数量交期(天)MOQ货币1+10+100+1K+10K+购买 美国 0 立即发货 1 RMB ¥ 税 5.691 4.982 3.817 2.414 2.414 询价 AiPCBA -212立即发货1RMB ¥税4.5234.5234.5234.5234.523购买 ...