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制造商编号 SQ2337ES-T1_GE3 制造商 Vishay(威世) 唯样编号 N-SQ2337ES-T1_GE3 供货 海外代购 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 ±20V 3W(Tc) 290mΩ@1A,4.5V -55°C~175°C(TJ) SOT-23 P-Channel 80V 2.2A 车规 分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 SQ2337ES-T1_GE3....
其它名称: SQ2337ES-T1_GE3TR FET 类型: P 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 80V Vgs(最大值): ±20V 功率耗散(最大值): 3W(Tc) 工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ) 供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装: SOT23-3...
SQ2337ES-T1_GE3由VISHAY(威世)设计生产,立创商城现货销售。SQ2337ES-T1_GE3价格参考￥1.54。VISHAY(威世) SQ2337ES-T1_GE3参数名称:类型:1个P沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):2.2A;耗散功率(Pd):3W;阈值电压(Vgs(th)):2.5V;栅极电荷量(Qg):18nC@10V
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型号: SQ2337ES-T1-GE3 批号: 22+ 数量: 10000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40C 最大工作温度: 90C 最小电源电压: 5V 最大电源电压: 6V 长度: 7.1mm 宽度: 5.4mm 高度: 1.7mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购...
SQ2337ES-T1_GE3 数据手册 ECAD模型: 制造商:Vishay 标准包装: Product Variant Information section 3000/卷盘 Date Code:2318 Product Specification Section Vishay SQ2337ES-T1_GE3 - 产品规格 发货信息: 该产品不能运往某些国家/地区 .查看国家列表。
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