Product parameter: Product model: SQ2361EES-T1-GE3-VB Silk screen: VB2658 Brand: VBsemi Parameters: - Package: SOT23-3 - Channel type: P-Channel - Maximum voltage: -60V - Maximum current: -5.2A - On resistance: RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V, --VGS=±20V - Threshold voltage: Vth=-2V D...
功率MOSFET TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 2.5A(Tc) -55°C~175°C(TJ) 150mΩ@2.4A,10V 60V 2W(Tc) ±20V 车规 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号SQ2361EES-T1-GE3 制造商Vishay(威世) 授权代理品牌 ...
制造商编号 SQ2361EES-T1-GE3 制造商 Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号 A-SQ2361EES-T1-GE3 供货 自营 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 表面贴装型-P-通道-60V-2.5A(Tc)-2W(Tc)-SOT-23-3(TO-236)分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 SQ2361EES-T1-GE3.pdf 参数信息 常见问题 ...
最大电源电压 8V 长度 3.7mm 宽度 1.3mm 高度 2.5mm 可售卖地 全国 型号 SQ2361EES-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY 型号: SQ2361EES-T1-GE3 封装: SOT23 批次: 2022+ RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40C 最大工作温度: 90C 最小电源电压: 2V 最大电源电压: 9V 长度: 3.9mm 宽...
商品型号 SQ2361EES-T1-GE3-VB 商品编号 C7524977 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.047克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)60V 连续漏极电流(Id)- 导通电阻(RDS(on))- ...
在淘宝,您不仅能发现SQ2361EES-T1-GE3-VB |原装SOT-23MOSFETs的丰富产品线和促销详情,还能参考其他购买者的真实评价,这些都将助您做出明智的购买决定。想要探索更多关于SQ2361EES-T1-GE3-VB |原装SOT-23MOSFETs的信息,请来淘宝深入了解吧!
产品型号:SQ2361EES-T1-GE3-VB丝印:VB2658品牌:VBsemi参数:- 封装:SOT23- 沟道类型:P—Channel- 最大电压:-60V- 最大电流:-5.2A- 开启电阻:RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V,VGS=20V- 阈值电压:Vth=-2V 应用简介:SQ2361EES-T1-GE3-VB是一款SOT23封装的P—Channel沟道MOSFET,适用于一些需要较高电压和电流的应...
SQ2361EES-T1-GE3 暂无SQ2361EES-T1-GE3 的描述信息! SQ2361EES-T1-GE3国产替代产品 SQ2361EES-T1-GE3采购批发价格 SQ2361EES-T1-GE3 PDF文档 型号厂商大小 SQ2361EES-T1-GE3 VISHAY/威世 0.22M 下载 相关资料 SQ2361EES-T1-GE3相关资讯
Product model: SQ2361EES-T1-GE3-VB Silkscreen: VB2658 Brand: VBsemi Parameters: - Package: SOT23 - Channel type: P-Channel - Maximum voltage: -60V - Maximum current: -5.2A - On resistance: RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V,VGS=20V - Threshold voltage: Vth=-2V Application introduction: SQ2361...
在淘宝,您不仅能发现SQ2361EES-T1-GE3-VB 场效应管(MOSFET) 1个P沟道 耐压:60V SOT-2的丰富产品线和促销详情,还能参考其他购买者的真实评价,这些都将助您做出明智的购买决定。想要探索更多关于SQ2361EES-T1-GE3-VB 场效应管(MOSFET) 1个P沟道 耐压:60V SOT-2的信息,请来