SQ2348ES-T1_GE3 是一款N沟道MOSFET,采用经济实用的SOT-23封装,专为现代高效率电路设计。该器件具备30V的漏源电压(VDSS),能够处理高达5.8A的连续漏极电流(ID),并拥有出色的低导通电阻性能,仅为22mR(RD(on))。广泛应用于开关电源转换、电机驱动及多种高功率电子系统,这款MOS管凭借卓越的电流承载能力和高效能表...
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SQ2348ES-T1-GE3-VB 丝印: VB1330 品牌: VBsemi **详细参数说明:**- 封装类型:SOT23- 沟道类型:N—Channel- 最大漏极电压:30V- 最大漏极电流:6.5A- 静态漏极-源极电阻 (RDS(ON)):30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 门极阈值电压 (Vth):1.2~2.2V **应用简介:**SQ2348ES-T1-GE3-VB 是一款采用 ...
价格 ¥ 0.10 起订数 100个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 SQ2348ES-T1_GE3、 VISHAY/威世 商品图片 商品参数 品牌: VISHAY/威世 批号: 24+ 数量: 4139 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: ...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号 SQ2348ES-T1-GE3-VB 商品编号 C7463653 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.043333克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)6.5A ...
SQ2348ES-T1_GE3品牌厂家:SILICONIX,所属分类:晶体管-FET,MOSFET-单个,可在锐单商城现货采购SQ2348ES-T1_GE3、查询SQ2348ES-T1_GE3代理商; SQ2348ES-T1_GE3价格批发咨询客服;这里拥有SQ2348ES-T1_GE3中文资料、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快...
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发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 SQ2348ES-T1-GE3-VB、 VBSEMI微碧半导体、 SOT23-3 商品图片 商品参数 品牌: VBSEMI微碧半导体 封装: SOT23-3 批号: 24+ 数量: 1000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -50C 最大工作温度: ...