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型号: SQ2310ES-T1-GE3 贴片三极管 封装: SOT-23 批号: 1642+ 数量: 1000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 90C 最小电源电压: 1V 最大电源电压: 6V 长度: 5.2mm 宽度: 3.3mm 高度: 1.1mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动...
SQ2309ES-T1-GE3 、SQ2310ES-T1_GE3、SQ2310ES-T1-GE3 深圳市福田区誉安伦电子商行 2年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.23 SQ2310ES-T1-GE3 SOT23 SQ2310ES-T1 20V 6A 晶体管芯片 深圳市聚芯诚电子有限公司 1年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市 ¥0.25 SQ...
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商品型号SQ2310ES-T1_GE3 商品编号C145342 商品封装SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.035克(g) 数据手册 商品参数 参数纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 20V 连续漏极电流(Id) 6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 30mΩ@4.5V,6A 功率(Pd) 600mW 属性...
场效应管 SQ2310ES-T1_GE3价格 ¥ 2.04 ¥ 1.32 ¥ 1.01 起订数 1个起批 100个起批 3000个起批 发货地 广东深圳 咨询底价 产品服务 热门商品 整流二极管 BAV99T-7-F ¥ 0.10 其它类型稳压器(线性稳压控制器) MIC29302AWU ¥ 4.20 TLP185(GR-TPL SE(O ¥ 0.51 稳压器(恒压变压器) ...
SQ2310ES-T1_GE3 是一款高效N沟道MOSFET,采用小型SOT-23封装,专为高功率密度和低功耗电子设计。该器件具有20V的最大漏源电压(VDSS),并能稳定处理6A的连续漏极电流(ID),搭配其出色的22mΩ导通电阻(RD(on)),确保了卓越的电能转换效率和低功耗性能。广泛应用于电源管理、电机驱动、电池保护系统等领域,是实现小型...
VBsemi SQ2310ES-T1-GE3-VB参数:- 封装:SOT23- 沟道类型:N沟道- 额定电压:20V- 额定电流:6A- RDS(ON):24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V- 阈值电压:0.45~1V 应用简介:SQ2310ES-T1-GE3-VB适用于多种电源模块和功率管理模块,在需要N沟道功率开关的领域中表现出色。其低导通电阻和高频特性使其在电源转换、稳...
Vishay威世半导体原厂型号:SQ2310ES-T1-GE3 制造商:Vishay Semiconductor (威世半导体) 描述:MOSFET N-CH 20V 6A SOT23 系列:TrenchFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss):20V 电流- 连续漏极 (Id)(25°C 时):6A(Tc) ...
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