包装 TO-220AB-3 导通电阻 1 最小包装量 Tube 工作温度 + 175 C 栅极电荷(Qg@Vgs) 1 反向传输电容(Crss@Vds) 1 认证机构 q 功率(Pd) 50 可售卖地 全国 类型 IGBT 晶体管 型号 IRLML6402TRPBF 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也...
型号 SQ2398ES-T1_GE3 技术参数 品牌: Vishay 型号: SQ2398ES-T1_GE3 批号: 22+ 数量: 5000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 1.6 A Rds On-漏...
型号: SQ2398ES-T1_GE3 批号: 19+ 封装: SOT-23-3 数量: 10000 QQ: 3530488939 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 1.6 A Rds On-漏源导...
其它名称 SQ2398ES-T1_GE3-ND FET 类型 N 通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.6A(Tc) 不同Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250µA Vgs(最大值) ±20V 功率耗散(最大值) 2W(Tc) 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型 表面贴装型...
系列:SQ 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 晶体管类型:1 N-Channel 典型关闭延迟时间:7 ns 典型接通延迟时间:5 ns 零件号别名:SQ2398ES-T1_BE3 单位重量:8 mg 供应商信息 公司:深圳市炎凯科技有限公司 联系人:白小姐 范小姐 电话:0755-89587732 0755-89587732-8004 ...
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SQ2398ES-T1_GE3 品牌: Vishay / Siliconix 交期: 5-8工作天 原廠包裝量: Datasheet 幣別(NTD)稅前單價/PCS 點擊查看即時庫存 1+NT$21.1575 10+NT$16.2435 100+NT$12.0461 500+NT$9.8963 起訂量:1倍增量:1 價格:NT$21.1575數量: 合計:NT$21 ...
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