型号 SQ2308CES-T1_GE3 技术参数 品牌: VISHAY威世 型号: SQ2308CES-T1_GE3 封装: SOT-23SOT-23-3 批号: 21+ 数量: 3000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续...
Vishay威世半导体原厂型号:SQ2308CES-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 描述:MOSFET N-CH 60V 2.3A TO236 系列:自动, AEC-Q101, TrenchFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss):60V 电流- 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.3A(Tc) 不同Id、Vgs 时的 Rds On(最大...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 SQ2308CES-T1 GE3、 VISHAY (威世)、 SOT-23-3 商品图片 商品参数 品牌: VISHAY (威世) 封装: SOT-23-3 批号: 21+ 数量: 33000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度:...
SQ2308CES-T1_GE3是一款常见的IC元器件，广泛用于电子产品的生产和维修。作为一家专业的IC元器件批发商，我们提供这款产品的高质量和可靠性。SQ2308CES-T1_GE3是一款双N沟道MOSFET，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。它采用了先进的MOSFET技术，能够在低电压下提供高电流输出。这使得它在各种电子设备中都具有广...
3 美国 0 立即发货 - RMB ¥ 税 1.449 1.449 1.449 1.449 1.449 询价 儒卓力 德国0-3000RMB ¥税---1.6711.588询价 SQ2308CES-T1_GE3 中文资料规格参数 参数列表 搜索代替器件 技术参数 针脚数 3 漏源极电阻 0.125 Ω 极性 N-Channel 耗散功率 ...
品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子) 商品型号SQ2308CES-T1_GE3-HXY 商品编号C22366547 商品封装SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.024333克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 60V 属性参数值 连续漏极电流(Id) 3A 导通电阻(RDS(...
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高品质二极管: 这款Vishay SQ2308CES-T1_GE3二极管是一款可靠的电子元件,专为各种应用而设计,确保性能稳定,使用寿命长。 表面贴装技术 (SMT): 二极管采用SMT技术制造,可实现高效、紧凑的安装,非常适合重视节省空间设计的用户。 标准包装: 产品采用标准包装,每个工厂包装数量为3000pcs,适用于批量采购和库存管理。
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Description:IC;Operating Temperature:Standard;Applications:Standard;Mounting Type:Standard;Co-Processors/DSP:Standard;Package:SOT23;Type:Microcontroller;Place of Origin:CN;GUA;Series:IC;Description:IC;Manufacturer Part Number:SQ2308CES-T1_GE3;Manufacture