SQ2309ES-T1_GE3 是一款P沟道MOSFET,采用小巧的SOT-23封装,适应高密度电路板布局。器件提供60V的漏源耐压(VDSS),并能在低导通电阻160mR(RD(on))下稳定传输2A漏极电流(ID)。适用于电池保护、负载开关、电源管理等领域,此款MOS管以其出色的电压承受能力和高效的电流控制性能,为您的电路设计带来更高的灵活性与...
SQ2309ES-T1-GE3的技术参数显示了它作为出色场效应管实力。P沟泄露电压60V(Vdss),它能处理各种电压环境,保证设备的高效运行。其中5.2A持续漏极电流(Id)为各类高性能主要用途提供了足够的电流承载力。此外,SQ2309ES-T1-GE3在功率和导电阻层面也发挥了出色的功效,确保了环保节能平衡,从而优化了电子电路的总体特性。
型号 SQ2309ES-T1-GE3 超小型管 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销...
电子管-场效应管-SQ2309ES-T1_GE3-VISHAY/威世-SOT-23-21+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结...
品牌:Vishay(威世) 型号: SQ2309ES-T1_GE3 商品编号: G0041720 封装规格: SOT-23 商品描述: 表面贴装型 P 通道 60 V 1.7A(Tc) 2W(Tc) SOT-23-3(TO-236) 数据手册 商品详情 PDF数据手册 技术文档 相关问答 产品分类 MOSFETs 封装/外壳 SOT-23 零件状态 Active 系列 Automotive,AEC-Q101,...
SQ2309ES-T1_GE3 功率MOSFET SOT-23 P-Channel 2W 335mΩ@-1.25A,-10V -55°C~175°C ±20V -60V -1.7A 车规 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号SQ2309ES-T1_GE3 制造商Vishay(威世) 授权代理品牌
SQ2309ES-T1_GE3 中文资料规格参数 参数列表 搜索代替器件 技术参数 针脚数 3 漏源极电阻 0.125 Ω 极性 P-Channel 耗散功率 3.3 W 阈值电压 2 V 输入电容 211 pF 漏源极电压(Vds) 60 V 连续漏极电流(Ids) 1.7A 上升时间 9 ns 输入电容(Ciss) ...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 专用IC 商品关键词 SQ2309ES、 T1、 GE3、 VISHAY、 威世 商品图片 商品参数 品牌: VISHAY/威世 批号: 21+ 数量: 50000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/箱体: SOT-23-3 资格: AEC-Q101 ...
SQ2309ES-T1_GE3 已下架 功率MOSFET SOT-23 P-Channel 2W 335mΩ@-1.25A,-10V -55°C~175°C ±20V -60V -1.7A 车规 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号SQ2309ES-T1_GE3 制造商Vishay(威世) 授权代理品牌...
型号: SQ2309ES-T1-GE3-VB 封装: SOT23-3 批号: 23+ 数量: 10000 产品应用: 电子设备 产品类别: 电子元器件 是否支持订货: 是 现货交期: 1个工作日内 是否支持样品: 是 产品认证: UL,RoHS,CSA,TUV 是否提供FAE: 是 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变...