Split Gate MOSFET系列产品采用屏蔽栅深沟槽(Shield Gate Deep Trench)技术,全面提升了器件的开关特性和导通特性,同时降低了器件的特征导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg)。通过采用这一先进技术,最新的30V-150V中压MOSFET产品的FOM(品质因数(Rdson*Qg))比传统沟槽型功率MOSFET降低了45%。 配合先进的封装技术,Split Gate ...
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A split-gate MOSFET includes first and second epitaxial layers, first, second, and third gates, a gate oxide layer, a trench oxide layer, and a trench implantation region formed on a substrate in order. The second epitaxial layer has a doping concentration greater than that of the first epit...
金融界 2024 年 10 月 29 日消息，国家知识产权局信息显示，和舰芯片制造（苏州）股份有限公司申请一项名为“一种改善 Power MOSFET Split Gate 产品漏电的方法及 SGT Power MOSFET”的专利，公开号 CN 118824854 A，申请日期为 2023 年 4 月。专利摘要显示，本发明公开了一种改善 Power MOSFET Split Gate 产品...
本发明公开了一种SplitGate MOSFET器件制备方法,涉及半导体功率器件技术领域.用于解决现有技术中,成型工艺SplitGate MOSFET器件制造工艺在节省成本和良好器件性能之间存在矛盾问题.制备方法包括:在第一沟槽内和第二沟槽内依次形成liner Oxide层和source poly层;通过刻蚀方法依次对所述第二沟槽内的所述source poly层进行刻蚀,...
专利名称 精简光刻Split-GateMOSFET芯片 申请号 2020218180762 申请日期 2020-08-26 公布/公告号 CN212542445U 公布/公告日期 2021-02-12 发明人 关仕汉,薛涛,迟晓丽 专利申请人 淄博汉林半导体有限公司 专利代理人 高鹏飞 专利代理机构 淄博川诚知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 专利类型 实用新型 主分类号 H01L2...
Split-gate MOSFET 专利名称：Split-gate MOSFET 发明人：Chih-Cheng Liu,Jiong-Guang Su,Hung-Wen Chou 申请号：US15340997 申请日：20161102 公开号：US09812564B1 公开日：20171107 专利内容由知识产权出版社提供 专利附图：摘要：A split-gate MOSFET includes first and second epitaxial layers, first, second,...
Split-gateDMOS还拥有出色的FOM(RDS*Qg)值,特别是在低压 功率MOSFET领域独树一帜。目前以英飞凌、Fairchild等为代表的国外半导体公 司已经开发出成熟的split-gateDMOS工艺线,并发展多代split-gateDMOS产品, 无论在产品特性还是在工艺水平上都领先于国内。国内自主研发产品的参数和国 外同类产品相比还有一定差距。因此...
Split Gate MOSFET器件及制备方法 (19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202211003755.8(22)申请日 2022.08.22(71)申请人 华羿微电子股份有限公司地址 710018 陕西省西安市未央区经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号(72)发明人 袁力鹏 苏毅 常虹 完颜文娟 唐呈...
Split-gateDMOS作为一种槽栅型MOSFET结构,采用电荷平衡原理,通过适 当提高外延层掺杂浓度以减小导通电阻;利用屏蔽栅降低了Cgd/Ciss,改善了器件 的dv/dt能力。Split-gateDMOS还拥有出色的FOM(RDS*Qg)值,特别是在低压 功率MOSFET领域独树一帜。目前以英飞凌、Fairchild等为代表的国外半导体公 ...