首頁»SOT-MRAM 記憶體 2023-05-16 -Sebastien Couet、Gouri Sankar Kar,作者依序為imec磁學專案總監、專案總監 SOT-MRAM架構為高密度末級快取記憶體應用開啟大門 自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體(SOT-MRAM)元件在末級(last-level)記憶體應用中面臨三個主要問題:可擴展性、動態功耗和製造中對緊湊型無磁場開關解...
金融界2025年3月28日消息,国家知识产权局信息显示,桑迪士克科技股份有限公司取得一项名为“底部钉扎SOT-MRAM位结构和制造方法”的专利,授权公告号 CN 112992214 B,申请日期为2016年10月。