2023-05-16 -Sebastien Couet、Gouri Sankar Kar,作者依序為imec磁學專案總監、專案總監 SOT-MRAM架構為高密度末級快取記憶體應用開啟大門 自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體(SOT-MRAM)元件在末級(last-level)記憶體應用中面臨三個主要問題:可擴展性、動態功耗和製造中對緊湊型無磁場開關解決方案的需求…...
中电海康申请 SOT-MRAM 存储单元及存储器专利，能够提高自由层磁化翻转效率 金融界 2025 年 3 月 29 日消息，国家知识产权局信息显示，中电海康集团有限公司申请一项名为“SOT-MRAM 存储单元及 SOT-MRAM 存储器”的专利，公开号 CN 119698230 A，申请日期为 2023 年 9 月。专利摘要显示，本发明提供一种 SOT‑...
2023年8月,致真存储(北京)科技有限公司团队自主研发的128Kb SOT-MRAM 芯片成功下线。这是继1Kb SOT-MRAM流片成功后又一个重要的新一代磁存储技术工艺研制里程碑,围绕自旋轨道矩材料、磁性隧道结图案化、专用电路设计等实现了多处技术突破,为新一代磁存储芯片量产、国产高端存储器技术突围、后摩尔时代片上非易失性...
金融界 2025 年 1 月 20 日消息，国家知识产权局信息显示，浙江驰拓科技有限公司申请一项名为“SOT-MRAM 存储单元及 SOT-MRAM 存储器”的专利，公开号 CN 119317347 A，申请日期为 2023 年 7 月。专利摘要显示，本发明提供一种 SOT‑MRAM 存储单元及 SOT‑MRAM 存储器，包括：自旋轨道矩效应层及其上方的磁...
最近,Imec 公布的超大规模自旋轨道转移 MRAM (SOT-MRAM) 器件已实现创纪录的性能,每比特开关能量低于 100 飞焦耳,耐用性超过 10 的 15 次方。 这些结果使得 SOT-MRAM 成为替代 SRAM 作为高性能计算 (HPC) 应用中最后一级缓存的有希望的候选者。就像 SRAM 一样,它提供高开关速度(在亚纳秒范围内)和无限的耐用...
2023年8月,致真存储(北京)科技有限公司团队自主研发的128Kb SOT-MRAM 芯片成功下线。这是继1Kb SOT-MRAM流片成功后又一个重要的新一代磁存储技术工艺研制里程碑,围绕自旋轨道矩材料、磁性隧道结图案化、专用电路设计等实现了多处技术突破,为新一代磁存储芯片量产、国产高端存储器技术突围、后摩尔时代片上非易失性...
金融界 2025 年 1 月 20 日消息,国家知识产权局信息显示,浙江驰拓科技有限公司申请一项名为“SOT-MRAM 存储单元及 SOT-MRAM 存储器”的专利,公开号 CN 119317347 A,申请日期为 2023 年 7 月。 专利摘要显示,本发明提供一种 SOT‑MRAM 存储单元及 SOT‑MRAM 存储器,包括:自旋轨道矩效应层及其上方的磁性隧...
浙江驰拓科技申请一种磁存储单元及 SOT-MRAM 存储器专利，解决垂直磁化的 MTJ 零磁场的可靠写入问题和高速读取问题 金融界 2024 年 12 月 21 日消息，国家知识产权局信息显示，浙江驰拓科技有限公司申请一项名为“一种磁存储单元及 SOT-MRAM 存储器”的专利，公开号 CN 119152902 A，申请日期为 2023 年 6 月。
2023年8月,致真存储(北京)科技有限公司团队自主研发的128Kb SOT-MRAM 芯片成功下线。这是继1Kb SOT-MRAM流片成功后又一个重要的新一代磁存储技术工艺研制里程碑,围绕自旋轨道矩材料、磁性隧道结图案化、专用电路设计等实现了多处技术突破,为新一代磁存储芯片量产、国产高端存储器技术突围、后摩尔时代片上非易失性...
SOT-MRAM是一种很有前途的非易失性存储器,非常适合嵌入式存储器应用,例如高性能计算和移动应用中的L3(及以上)缓存。目前这一角色通常由超快速易失性静态RAM(SRAM)实现,但其对SRAM位密度的工艺升级限制,迫使业界急切寻找替代方案。此外,当存储器待机时,SRAM位元受功耗的影响越来越大,故无法实现很低的待机功耗。而...