- 结构不同：SOT-MRAM 的结构由两个磁性层组成，下层是反铁磁性，上层是带有自旋极化的铁磁性，两层之间有一层绝缘层隔开。而 STT-MRAM 单元的磁性层结构也是由两个磁性层和一个隔离层组成，其中一个磁性层带有固定方向的自旋极化，另一个磁性层则受到外部磁场和电流的影响，以改变其磁化方向。- 工作原理不同...
一般来说，在当前阶段，STT-MRAM 的成本相对较低。STT-MRAM 技术相对更成熟一些，在大规模生产方面有一定的经验积累，成本随着生产规模的扩大逐渐降低。而 SOT-MRAM 作为一种较新的技术，在产业化初期，其研发成本、工艺成本等可能相对较高，导致整体成本较高。但随着技术的不断发展和进步，未来成本情况可能会发生变...
据报道,台积电股份有限公司与工业技术研究院合作研发出名为“自旋轨道力矩式磁性内存” (SOT-MRAM) 的下一代 MRAM 存储器,搭载创新算法,能源消耗较同类技术 STT-MRAM 降低了约百分之九十九,这将有效提升其在AI和高性能计算(HPC)领域的竞争力。 鉴于AI、5G新时代的到来以及自动驾驶、精准医疗诊断、卫星影像辨识等应...
SOT-MRAM 和 STT-MRAM 在实际应用中有以下一些案例：- SOT-MRAM：- 工研院与台积电合作开发的 SOT-MRAM 数组芯片搭配创新的运算架构，适用于内存内运算，且功耗仅为 STT-MRAM 百分之一，可应用于高性能计算、AI 人工智能及车用芯片等。- STT-MRAM：- 虹科脉冲发生器可用于测试 STT-MRAM 单元，通过改变脉冲的...