- 结构不同：SOT-MRAM 的结构由两个磁性层组成，下层是反铁磁性，上层是带有自旋极化的铁磁性，两层之间有一层绝缘层隔开。而 STT-MRAM 单元的磁性层结构也是由两个磁性层和一个隔离层组成，其中一个磁性层带有固定方向的自旋极化，另一个磁性层则受到外部磁场和电流的影响，以改变其磁化方向。- 工作原理不同：在 SOT-MRAM
一般来说，在当前阶段，STT-MRAM 的成本相对较低。STT-MRAM 技术相对更成熟一些，在大规模生产方面有一定的经验积累，成本随着生产规模的扩大逐渐降低。而 SOT-MRAM 作为一种较新的技术，在产业化初期，其研发成本、工艺成本等可能相对较高，导致整体成本较高。但随着技术的不断发展和进步，未来成本情况可能会发生变...
2、Spin Orbit Torque(SOT):自旋轨道转矩 由于STT-MRAM还存在一些弊端,例如调控磁矩翻转的临界电流密度仍比较大,产生的功耗较高等。基于SOT的MRAM可以克服其一些缺点。 SOT的原理为利用spin Hall effect (SHE)或inverse spin galvanic effect (iSGE),使得在具有强自旋轨道耦合的重金属层中流动的电流转化为自旋流,自...
据官方宣称,新的SOT-MRAM内存功耗仅为STT-MRAM的百分之一,同时形成的科研成果也处于国际领先地位,并且在备受瞩目的国际电子元件会议(IEDM)上得到发表。 值得注意的是,STT-MRAM是一种使用自旋电流进行信息写入的新型非易失性磁随机存储器,属于第二代磁性存储器MRAM。其存储单元主要由两层不同厚度的铁磁层和一层几...
在国际上率先提出了SOT-MRAM的设计专利。如在中科院的资助下与国内相关企业联合,采用12英寸工艺线技术开发Nanoring STT-MRAM和SOT-MTRAM芯片,则可以实现科研成果的转化与产品开发及应用。 该项目建议建立国家级自旋芯片研发中心或工程中心、产业化基地;利用5～10年时间,逐步实现4M、16M、64M、128M、256M、512M、1G...
- SOT-MRAM：- 工研院与台积电合作开发的 SOT-MRAM 数组芯片搭配创新的运算架构，适用于内存内运算，且功耗仅为 STT-MRAM 百分之一，可应用于高性能计算、AI 人工智能及车用芯片等。- STT-MRAM：- 虹科脉冲发生器可用于测试 STT-MRAM 单元，通过改变脉冲的宽度、幅度和重复率，来测试 STT-MRAM 单元的性能。-...
STT/SOT控制的共位线MRAM系统及操作方法专利信息由爱企查专利频道提供,STT/SOT控制的共位线MRAM系统及操作方法说明:本发明涉及STT/SOT控制的共位线MRAM系统及操作方法,MRAM系统包括:MRAM存储单元...专利查询请上爱企查