- 结构不同：SOT-MRAM 的结构由两个磁性层组成，下层是反铁磁性，上层是带有自旋极化的铁磁性，两层之间有一层绝缘层隔开。而 STT-MRAM 单元的磁性层结构也是由两个磁性层和一个隔离层组成，其中一个磁性层带有固定方向的自旋极化，另一个磁性层则受到外部磁场和电流的影响，以改变其磁化方向。- 工作原理不同：在 SOT-MRAM
一般来说，在当前阶段，STT-MRAM 的成本相对较低。STT-MRAM 技术相对更成熟一些，在大规模生产方面有一定的经验积累，成本随着生产规模的扩大逐渐降低。而 SOT-MRAM 作为一种较新的技术，在产业化初期，其研发成本、工艺成本等可能相对较高，导致整体成本较高。但随着技术的不断发展和进步，未来成本情况可能会发生变...
虽然具有柱状结构的 STT-MRAM 是一种两端器件，但 SOT-MRAM 是一种三端器件——将两个晶体管合并到一个单元中和一个相对较大的选择器晶体管（以适应写入所需的相对较大的电流）装置）。因此，需要在密度缩放方面进行创新，使其成为低级缓存应用中 SRAM 的真正竞争对手。VCMA-MRAM：超低功耗冠军 电压控制 MRAM ...
STT-MRAM 和 SOT-MRAM 之间的主要区别在于用于写入过程的电流注入几何形状。在 STT-MRAM 中,电流垂直注入 MTJ,而 SOT-MRAM 中的电流注入发生在平面内,在相邻的 SOT 层中——通常是重金属(如钨 )。因此,在 SOT-MRAM 中,读写路径被解耦,显着提高了设备的耐用性和读取稳定性。平面内电流注入还消除了 STT-MRA...
STT-MRAM和SOT-MRAM之间的主要区别在于写入所用的电流注入几何结构。STT-MRAM中的电流是垂直注入MTJ的,SOT-MRAM的电流注入则发生在平面内,在相邻的SOT层中——典型情况是像钨(W)这样的重金属层。因此SOT-MRAM中的读写路径是去耦的,显著提高了器件的耐久性和读取稳定性。平面型电流注入则消除了STT-MRAM工作时的开...
- SOT-MRAM：- 工研院与台积电合作开发的 SOT-MRAM 数组芯片搭配创新的运算架构，适用于内存内运算，且功耗仅为 STT-MRAM 百分之一，可应用于高性能计算、AI 人工智能及车用芯片等。- STT-MRAM：- 虹科脉冲发生器可用于测试 STT-MRAM 单元，通过改变脉冲的宽度、幅度和重复率，来测试 STT-MRAM 单元的性能。-...
据报道,台积电股份有限公司与工业技术研究院合作研发出名为“自旋轨道力矩式磁性内存” (SOT-MRAM) 的下一代 MRAM 存储器,搭载创新算法,能源消耗较同类技术 STT-MRAM 降低了约百分之九十九,这将有效提升其在AI和高性能计算(HPC)领域的竞争力。 鉴于AI、5G新时代的到来以及自动驾驶、精准医疗诊断、卫星影像辨识等应...
根据上述STT机制设计的STT-MRAM如下图所示: 平面式iSTT-MRAM存储单元结构图 垂直式pSTT-MRAM存储单元结构图 2、Spin Orbit Torque(SOT):自旋轨道转矩 由于STT-MRAM还存在一些弊端,例如调控磁矩翻转的临界电流密度仍比较大,产生的功耗较高等。基于SOT的MRAM可以克服其一些缺点。
在国际上率先提出了SOT-MRAM的设计专利。如在中科院的资助下与国内相关企业联合,采用12英寸工艺线技术开发Nanoring STT-MRAM和SOT-MTRAM芯片,则可以实现科研成果的转化与产品开发及应用。 该项目建议建立国家级自旋芯片研发中心或工程中心、产业化基地;利用5～10年时间,逐步实现4M、16M、64M、128M、256M、512M、1G...