特别是新型无轨道SOT-MRAM器件结构的提出，进一步推动了其向工业化应用迈进。未来，随着材料科学、器件设计和制造技术的持续突破，SOT-MRAM有望逐步实现商用。作为SRAM存储器的有力竞争者，SOT-MRAM不仅可以应用于高性能嵌入式存储和缓存等传统领域，还将在存内计算、神经形态计算、随机计算等新兴领域展现出巨大的潜力。...
SOT-MRAM技术自诞生以来仅约十年,但在器件验证和材料创新方面已取得显著进展。特别是新型无轨道SOT-MRAM器件结构的提出,进一步推动了其向工业化应用迈进。未来,随着材料科学、器件设计和制造技术的持续突破,SOT-MRAM有望逐步实现商用。作为SRAM存储器的有力竞争者,SOT-MRAM不仅可以应用于高性能嵌入式存储和缓存等传统领...
SOT-MRAM技术自诞生以来仅约十年,但在器件验证和材料创新方面已取得显著进展。特别是新型无轨道SOT-MRAM器件结构的提出,进一步推动了其向工业化应用迈进。未来,随着材料科学、器件设计和制造技术的持续突破,SOT-MRAM有望逐步实现商用。作为SRAM存储器的有力竞争者,SOT-MRAM不仅...
其中，浙江驰拓科技公司尤为引人注目，他们公布了一项重大突破——"一种具有115% TMR（隧道磁电阻比）、2纳秒切换速度及高比特良率（>9%）的无轨道SOT-MRAM"。这一创新技术不仅解决了传统SOT-MRAM面临的良率问题，更有望推动整个行业迈向新的高度。据了解，驰拓科技创新性地提出了无扩展自旋轨道层的垂直型SOT-MRAM...
- 存储密度不同：SOT-MRAM 技术在制造方面非常具有潜力，但是由于其磁性层的厚度限制，因此存储密度受到一定程度的限制。STT-MRAM 技术因为具有更高的尺寸控制，因此存储密度更高。- 工艺不同：STT-MRAM 技术需要更加复杂和昂贵的硅工艺，而 SOT-MRAM 技术则可以实现更加简单和低成本的生产。- 生命周期不同：SOT-...
这一技术突破，有望为SOT-MRAM的规模化生产与应用开辟新道路。驰拓科技在SOT-MRAM领域取得新突破近期，驰拓科技在国际微电子顶级学术会议IEDM上，首次提出了适合大规模制造的无轨道垂直型SOT-MRAM器件结构。这一创新设计显著简化了SOT-MRAM的工艺流程，降低了制造难度，从而在理论上大大提升了器件良率。该研究成果一经...
中电海康申请 SOT-MRAM 存储单元及存储器专利，能够提高自由层磁化翻转效率 金融界 2025 年 3 月 29 日消息，国家知识产权局信息显示，中电海康集团有限公司申请一项名为“SOT-MRAM 存储单元及 SOT-MRAM 存储器”的专利，公开号 CN 119698230 A，申请日期为 2023 年 9 月。专利摘要显示，本发明提供一种 SOT‑...
驰拓科技引领SOT-MRAM技术革新，无轨道设计打破制造瓶颈SOT-MRAM（自旋轨道矩磁性随机存取存储器）以其惊人的纳秒级写入速度和无限次擦写寿命，正成为有望替代CPU各级缓存的新型高性能非易失存储技术。然而，该技术在器件制造上一直面临严峻挑战，尤其是传统制造方案在原理上存在的刻蚀良率问题，严重阻碍了其大规模生产和...
无扩展轨道层新型SOT-MRAM器件解读 驰拓科技发布的无扩展自旋轨道层垂直型SOT-MRAM器件结构,如下图所示。 传统方案 驰拓科技创新方案 该结构的关键创新在于将MTJ直接放置在两个底部电极之间,MTJ两侧与底部电极部分重叠。在进行MTJ刻蚀时,该结构不需要精确停止在厚度大约5 nm左右的轨道层表面,而是可以进行过刻蚀,从而大...
SOT-MRAM技术自诞生以来仅约十年,但在器件验证和材料创新方面已取得显著进展。特别是新型无轨道SOT-MRAM器件结构的提出,进一步推动了其向工业化应用迈进。未来,随着材料科学、器件设计和制造技术的持续突破,SOT-MRAM有望逐步实现商用。作为SRAM存储器的有力竞...