本发明的一种面向SOTMRAM相关电路的自旋电子工艺设计系统,通过计算机设备实现,所述设计系统包含三种文件SOTMTJ单元库,工艺文件和物理验证规则文件;所述SOTMTJ单元库包含以下四个文件:SPICE仿真模型veriloga,符号symbol模块,版图layout模块和auCdl模块;本发明的自旋电子工艺设计包囊括了SOTMRAM相关电路设计所必需的各种文件,...
本发明的一种面向SOTMRAM相关电路的自旋电子工艺设计系统,通过计算机设备实现,所述设计系统包含三种文件SOTMTJ单元库,工艺文件和物理验证规则文件;所述SOTMTJ单元库包含以下四个文件:SPICE仿真模型veriloga,符号symbol模块,版图layout模块和auCdl模块;本发明的自旋电子工艺设计包囊括了SOTMRAM相关电路设计所必需的各种文件,...
In this way small layout footprint and high integration density are guaranteed.Viktor SVERDLOVAlexander MAKAROVSiegfried SELBERHERRWorld multi-conference on systemics, cybernetics and informatics
Compared to CPSTT-MRAM, the proposed CPSOT-MRAM achieves a 4.0脳 and 2.8脳 improvement in write and read power, respectively, and a 20% reduction in layout area.doi:10.3390/electronics13173498Yeongkyo SeoMultidisciplinary Digital Publishing InstituteElectronics...