本发明的一种面向SOTMRAM相关电路的自旋电子工艺设计系统,通过计算机设备实现,所述设计系统包含三种文件SOTMTJ单元库,工艺文件和物理验证规则文件;所述SOTMTJ单元库包含以下四个文件:SPICE仿真模型veriloga,符号symbol模块,版图layout模块和auCdl模块;本发明的自旋电子工艺设计包囊括了SOTMRAM相关电路设计所必需的各种文件,...
工作时间 周一至周五(9:00-12:00 13:30-18:30)节假日除外 投诉电话:15099986193 微信咨询 扫描微信二维码咨询客服 工作时间 周一至周五(9:00-12:00 13:30-18:30)节假日除外 投诉电话:15099986193 微商城 微信公众平台 搜索:hqchip001 型号搜索订单查询...
本发明的一种面向SOTMRAM相关电路的自旋电子工艺设计系统,通过计算机设备实现,所述设计系统包含三种文件SOTMTJ单元库,工艺文件和物理验证规则文件;所述SOTMTJ单元库包含以下四个文件:SPICE仿真模型veriloga,符号symbol模块,版图layout模块和auCdl模块;本发明的自旋电子工艺设计包囊括了SOTMRAM相关电路设计所必需的各种文件,...
We propose a magnetic field-free perpendicular SOT-MRAM, based on a crossbar architecture and the use of two consecutive orthogonal sub-nanosecond current pulses. In this way small layout footprint and high integration density are guaranteed.Viktor SVERDLOV...
Compared to CPSTT-MRAM, the proposed CPSOT-MRAM achieves a 4.0脳 and 2.8脳 improvement in write and read power, respectively, and a 20% reduction in layout area.doi:10.3390/electronics13173498Yeongkyo SeoMultidisciplinary Digital Publishing InstituteElectronics...