- 结构不同：SOT-MRAM 的结构由两个磁性层组成，下层是反铁磁性，上层是带有自旋极化的铁磁性，两层之间有一层绝缘层隔开。而 STT-MRAM 单元的磁性层结构也是由两个磁性层和一个隔离层组成，其中一个磁性层带有固定方向的自旋极化，另一个磁性层则受到外部磁场和电流的影响，以改变其磁化方向。- 工作原理不同...
与低密度三端SOT(自旋轨道传输)设备相比,两端设备可靠的2 ns和3 ns切换,可为最后一级缓存(LLC)应用实现高速而密集的MRAM产品。使用49nm CD MTJ,在1e-6写入错误下限时,具有100%WER成品率的STT-MRAM实现了可靠的2 ns切换。 在图19中,对于两种不同的自由层设计Stack1和Stack2,在400°C退火60分钟时,开关电流...
- SOT-MRAM：- 工研院与台积电合作开发的 SOT-MRAM 数组芯片搭配创新的运算架构，适用于内存内运算，且功耗仅为 STT-MRAM 百分之一，可应用于高性能计算、AI 人工智能及车用芯片等。- STT-MRAM：- 虹科脉冲发生器可用于测试 STT-MRAM 单元，通过改变脉冲的宽度、幅度和重复率，来测试 STT-MRAM 单元的性能。-...
1月18日,台积电与工业技术研究院(ITRI)合作研发的“自旋轨道力矩式磁性内存”(SOT-MRAM)取得突破性进展。该技术搭载创新运算架构,功耗仅为STT-MRAM的百分之一。台积电表示,这一新款SOT-MRAM内存将进一步巩固其在市场上的地位。 随着AI、5G时代的到来,自动驾驶、精准医疗诊断和卫星影像辨识等场景需要更快、更稳、功耗...
据报道,台积电股份有限公司与工业技术研究院合作研发出名为“自旋轨道力矩式磁性内存” (SOT-MRAM) 的下一代 MRAM 存储器,搭载创新算法,能源消耗较同类技术 STT-MRAM 降低了约百分之九十九,这将有效提升其在AI和高性能计算(HPC)领域的竞争力。 鉴于AI、5G新时代的到来以及自动驾驶、精准医疗诊断、卫星影像辨识等应...
STT-MRAM (also called STT-RAM or sometimes ST-MRAM and ST-RAM) is an advanced type of MRAM devices. STT-MRAM enables higher densities, low power consumption and reduced cost compared to regular (so-called Toggle MRAM) devices. The main advantage of STT-M
目前STT-MRAM为主要厂商投注目标,但SOT-MRAM也受到学术界的注意,未来将由制程的整合、成本与稳定度来决定胜出的架构是哪一类型。 诸多探讨将把新兴内存与人工智能、类神经网络芯片进行整合,为什么需要新兴内存的因素在于读写速度与低功耗的需求。因为依据目前AI的发展,未来芯片/系统将面临包含大量的功率损耗输出、大量...
目前STT-MRAM为主要厂商投注目标,但SOT-MRAM也受到学术界的注意,未来将由制程的整合、成本与稳定度来决定胜出的架构是哪一类型。 诸多探讨将把新兴内存与人工智能、类神经网络芯片进行整合,为什么需要新兴内存的因素在于读写速度与低功耗的需求。因为依据目前AI的发展,未来芯片/系统将面临包含大量的功率损耗输出、大量...
中科院物理所自2002年以来长期坚持自旋芯片研究,已在五类10款MRAM自旋芯片设计方面获得中国发明专利有40余项,包括美国及日本等5项国际专利授权,其代表性研究成果《纳米环磁性隧道结及其新型纳米环磁随机存取存储器的基础性研究》获2013年度北京市科学技术一等奖。在国际上率先提出了SOT-MRAM的设计专利。如在中科院的资助下...
(pMTJ)—具有垂直各向异性的磁隧道结,其包括参考层,支撑参考层的势垒层,和支撑势垒层的自由层.自旋霍尔导电材料层支撑自由层.驱动器可操作为设置多个位单元中的至少一个位单元的状态,驱动器被配置为沿自旋霍尔导电材料驱动电流,以经由自旋霍尔效应生成流过pMTJ的自旋轨道转移SOT电流,并且同时驱动另一电流通过pMTJ和...