- 结构不同：SOT-MRAM 的结构由两个磁性层组成，下层是反铁磁性，上层是带有自旋极化的铁磁性，两层之间有一层绝缘层隔开。而 STT-MRAM 单元的磁性层结构也是由两个磁性层和一个隔离层组成，其中一个磁性层带有固定方向的自旋极化，另一个磁性层则受到外部磁场和电流的影响，以改变其磁化方向。- 工作原理不同...
IT之家 1 月 18 日消息，台积电携手工业技术研究院（ITRI）在下一代 MRAM 存储器相关技术方面取得突破性进展，成功研发出“自旋轨道力矩式磁性内存”（SOT-MRAM），搭载创新运算架构，功耗仅为类似技术 STT-MRAM 的百分之一，成为台积电抢占 AI、高性能运算（HPC）市场的新“杀手锏”。业内人士指出，伴随着 AI、...
自旋芯片(STT-MRAM)具有数据非易失性、寿命长、低功耗、抗辐射等优点,将带来信息存储技术的更新换代,并在自动化、数据存储和计算、人工智能、便携式通信、物联网、快速搜索引擎、汽车等工业、航空航天及军事装备等领域具有巨大应用价值。目前发达国家都在对自旋存储器进行战略开发,美国的200mm-90nm平面式第一代4~64...
因此，相比传统STT材料的MRAM，SOT-MRAM则是一种新型的非易失性内存技术升级版。据台积电官方表示，SOT-MRAM内存搭载创新运算架构，功耗仅为传统STT-MRAM的 1%，相关研发成果领先国际。这一显著的优势使得SOT-MRAM在应对高性能计算（HPC）和AI应用时，能够提供更加稳定、高效的数据存储解决方案。SOT-MRAM会是台积电在A...
IT之家 1 月 18 日消息,台积电携手工业技术研究院(ITRI)在下一代 MRAM 存储器相关技术方面取得突破性进展,成功研发出“自旋轨道力矩式磁性内存”(SOT-MRAM),搭载创新运算架构,功耗仅为类似技术 STT-MRAM 的百分之一,成为台积电抢占 AI、高性能运算(HPC)市场的新“杀手锏”。
SOT-MRAM 和 STT-MRAM 在实际应用中有以下一些案例：- SOT-MRAM：- 工研院与台积电合作开发的 SOT-MRAM 数组芯片搭配创新的运算架构，适用于内存内运算，且功耗仅为 STT-MRAM 百分之一，可应用于高性能计算、AI 人工智能及车用芯片等。- STT-MRAM：- 虹科脉冲发生器可用于测试 STT-MRAM 单元，通过改变脉冲的...
SOT-MRAM是从更成熟的自旋转移矩MRAM(STT-MRAM)演变而来的,由于具有更好的耐久性和两个二进制状态之间更快的切换速度,因此具有更好的缓存应用前景。在两种MRAM类型中,磁隧道结(MTJ)构成了存储单元的“心脏”。在这种MTJ中,薄介电层(MgO)夹在铁磁固定层(CoFeB)和铁磁自由层(CoFe B)之间。存储单元写入是通过切...
鉴于AI、5G新时代的到来以及自动驾驶、精准医疗诊断、卫星影像辨识等应用对更高效率、稳定性和更低功耗的内存的需求愈发紧迫,如磁阻式随机存取内存(MRAM)这样的新一代内存技术已成为众多厂商争相研发的重点。
因此,相比传统STT材料的MRAM,SOT-MRAM则是一种新型的非易失性内存技术升级版。 据台积电官方表示,SOT-MRAM内存搭载创新运算架构,功耗仅为传统STT-MRAM的 1%,相关研发成果领先国际。这一显著的优势使得SOT-MRAM在应对高性能计算(HPC)和AI应用时,能够提供更加稳定、高效的数据存储解决方案。
According to an aspect of the present inventive concept there is provided a method of forming a magnetic tunnel junction, MTJ, for a spin-orbit-torque spin-transfer-torque, SOT-STT, magnetoresistive random access memory, MRAM, the method comprising: forming a layer stack above a substrate (...