- 结构不同：SOT-MRAM 的结构由两个磁性层组成，下层是反铁磁性，上层是带有自旋极化的铁磁性，两层之间有一层绝缘层隔开。而 STT-MRAM 单元的磁性层结构也是由两个磁性层和一个隔离层组成，其中一个磁性层带有固定方向的自旋极化，另一个磁性层则受到外部磁场和电流的影响，以改变其磁化方向。- 工作原理不同...
一般来说，在当前阶段，STT-MRAM 的成本相对较低。STT-MRAM 技术相对更成熟一些，在大规模生产方面有一定的经验积累，成本随着生产规模的扩大逐渐降低。而 SOT-MRAM 作为一种较新的技术，在产业化初期，其研发成本、工艺成本等可能相对较高，导致整体成本较高。但随着技术的不断发展和进步，未来成本情况可能会发生变...
据报道,台积电股份有限公司与工业技术研究院合作研发出名为“自旋轨道力矩式磁性内存” (SOT-MRAM) 的下一代 MRAM 存储器,搭载创新算法,能源消耗较同类技术 STT-MRAM 降低了约百分之九十九,这将有效提升其在AI和高性能计算(HPC)领域的竞争力。 鉴于AI、5G新时代的到来以及自动驾驶、精准医疗诊断、卫星影像辨识等应...
自旋芯片(STT-MRAM)具有数据非易失性、寿命长、低功耗、抗辐射等优点,将带来信息存储技术的更新换代,并在自动化、数据存储和计算、人工智能、便携式通信、物联网、快速搜索引擎、汽车等工业、航空航天及军事装备等领域具有巨大应用价值。目前发达国家都在对自旋存储器进行战略开发,美国的200mm-90nm平面式第一代4~64...
中国台湾工研院1月17日宣布,与台积电联手成功开发“自旋轨道转矩磁性存储器”(Spin Orbit Torque MRAM; SOT-MRAM)阵列芯片。该产品具有创新的计算架构,适用于存内计算,功耗仅为STT-MRAM的百分之一。
SOT-MRAM 和 STT-MRAM 在实际应用中有以下一些案例：- SOT-MRAM：- 工研院与台积电合作开发的 SOT-MRAM 数组芯片搭配创新的运算架构，适用于内存内运算，且功耗仅为 STT-MRAM 百分之一，可应用于高性能计算、AI 人工智能及车用芯片等。- STT-MRAM：- 虹科脉冲发生器可用于测试 STT-MRAM 单元，通过改变脉冲的...
描述了一种包括若干位单元的磁随机访问存储器(MRAM)阵列.位单元中的每个位单元包括垂直型磁隧道结(pMTJ)—具有垂直各向异性的磁隧道结,其包括参考层,支撑参考层的势垒层,和支撑势垒层的自由层.自旋霍尔导电材料层支撑自由层.驱动器可操作为设置多个位单元中的至少一个位单元的状态,驱动器被配置为沿自旋霍尔导电...
STT/SOT控制的共位线MRAM系统及操作方法专利信息由爱企查专利频道提供,STT/SOT控制的共位线MRAM系统及操作方法说明:本发明涉及STT/SOT控制的共位线MRAM系统及操作方法,MRAM系统包括:MRAM存储单元...专利查询请上爱企查
所述MRAM基本存储单元包括磁性隧道结和MOS管;相邻且同列的所述MRAM基本存储单元共用所述位线,同行的所述MOS管的栅极共用所述字线,同列的所述磁性隧道结共用所述源线;所述MOS管用于控制流过所述磁性隧道结的STT效应的电流和SOT效应的电流.本发明通过STT和SOT的共同作用可以有效降低存储器的写入电流密度,且相邻存储...
According to a second aspect, there is provided a magnetoresistive random access memory, MRAM, bit cell.SAKHARE SushilGARELLO KevinGUPTA MohitPERUMKUNNIL Manu Komalan