1. SRAM读写速度快,DRAM读写速度慢。 2. SRAM耗电量低,DRAM耗电量大。 3. SRAM制造成本高,容量低,DRAM制造成本低,容量大。 SDRAM接口信号 SDRAM主要信号如下(256Mb容量示例): A0-A11: 地址信号。BA0-BA1: Bank选择信号。DQM0-DQM3: 读写数据掩码控制信号。DQ0-DQ31: 数据信号。CKE: 时钟使能信号。CLK...
SDRAM手册上提供的是四种速度等级时提供的参数,V6开发板用的SDRAM支持143MHz,TMRD=2就是13.9ns,而我们实际驱动SDRAM是用的100MHz,TMRD = 1时是10ns,超出了性能范围,TMRD=2时是20ns,所以这里取值2。 TXSR SDRAM_Timing.ExitSelfRefreshDelay = 7; TXSR定义从发出自刷新命令到发出激活命令之间的延迟。SDRAM速度...
方法1灵活性太差，现时间不多选放一边 方法2指针变量 #define Bank1_SRAM3_ADDR ((uint32_t)0x...
而且内存条实质是由多个内存颗粒(即SDRAM芯片)组成的通用标准模块，而STM32扩展时，直接与SRAM芯片连接。
若使用STM32的内部SRAM存储程序,程序的执行速度与在FLASH上执行速度无异,但SRAM空间较小。 若使用外部扩展的SDRAM存储程序,程序空间非常大,但STM32读取SDRAM的速度比读取内部FLASH慢,这会导致程序总执行时间增加,因此在SDRAM中调试的程序无法完美仿真在内部FLASH运行时的环境。另外,由于STM32无法直接从SDRAM中启...
当MCU内置的SRAM不能满足DCMI图像缓冲区需求时,则需要用外部SDRAM来存储。例如STM32F469 MCU(见表1,第6行数据),其FSMC支持的最大频率为90MHz,宽度32位,则SDRAM的带宽 = 90 * 4 = 360 MBps,能够满足DCMI带宽的需求。一般,DCMI图像缓冲区中的数据是需要再次传输或由CPU进行计算处理的,理论上DCMI输入的带宽...
的。SDRAM,同步的DRAM,即数据的读写需要时钟来同步。 DRAM和SDRAM由于实现工艺问题,容量较SRAM大。但是读写速度不如SRAM,但是现在,SDRAM的速度也已经很快了,时钟好像已经有150兆的了。那么就是读写周期小于10ns了。SDRAM虽然工作频率高,但是实际吞吐率要打折扣。
有了FMC支持,SDRAM用起来和片上SRAM一样读写(只不过速度慢点罢了,但容量绝对优势)。配置也是启动后配一次即可,在STM32F429的demo例子中,我找到了SDRAM部分的配置函数调用: void SDRAM_Init(void) { FMC_SDRAMInitTypeDef FMC_SDRAMInitStructure; FMC_SDRAMTimingInitTypeDef FMC_SDRAMTimingInitStructure; ...
复位中断服务程序会调用SystemInit()函数来配置系统时钟、配置FMC总线上的外部SRAM/SDRAM,然后跳转到 C 库中__main 函数。由 C 库中的__main 函数完成用户程序的初始化工作(比如:变量赋初值等),最后由__main 函数调用用户写的 main()函数开始执行 C 程序。 为了更好分析中断向量表需要对中断向量表中的汇编...