注意:SRAM和SDRAM是不相同的,SDRAM是同步动态随机存储器,同步是指内存工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准;动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失;随机是指数据不是线性依次存储,而是自由指定地址进行数据读写。STM32的F1系列是不支持SDRAM的。 stm32不同型号的SRAM和FLASH大小是不...
Flash有写入寿命限制,频繁写入可能缩短Flash寿命。 综合考虑:如果采集的数据量较小且对实时性要求高,可以考虑先存储在SRAM中,然后再定期将数据写入Flash。如果采集的数据量较大且需要长期保存,可以直接将数据存储在Flash中。若要减少Flash写入次数,可以在SRAM中维护一个缓冲区,定期将缓冲区的数据写入Flash。最终的选择应...
FLASH是用来存储程序的,SRAM是用来存储程序运行中的中间变量
SRAM属于RAM类,上面说过的的FLASH存储器又称闪存,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据。 ROM和RAM的分布 RAM的起始地址是0x2000_0000,结束于0x2000_0000+芯片的RAM大小。 可以发现ROM的起始地址对应刚刚讲的内部flash地址,所以stm32的flash就是ROM(通常...
存储代码和常量数据,通常映射到Flash存储区域。 ✅数据存储器(Data Memory): 包括SRAM和寄存器,用于存储运行时的变量和中间数据。 ✅堆栈(Stack): 用于函数调用、返回地址和局部变量的存储,位于SRAM中。 ✅外设寄存器 (Peripheral Registers): 控制和状态寄存器,用于与各种外设的交互。
stm32不同型号的SRAM和FLASH大小是不相同的,可在datasheet中查看如下图: 03 编译结果分析 在keil中编译结果如下图: 打开生成的map文件拉到最后可看到如下: 编译结果里面几个的含义 Code:代码空间,本质是ARM指令( FLASH)。 RO-data:即 Read Only-data, 表示程序定义的常量,如 const 类型( FLASH)。
ITCM和DTCM是直连CPU的,比读写片上RAM要快,可以达到 CPU Cache 的速度(ICache缓存指令, DCache缓存数据),这个主要针对sram 对flash的描述 对flash的描述很模糊, 在stm32程序中都是有自举程序的,一般大小占用就有128KB了 在STM32H7系列当中对flash的描述是这样子 ...
本次分享STM32的FLASH、RAM硬件仿真调试实验: 因为STM32的FLASH擦写次数有限(大概为1万次),所以为了延长FLASH的使用时间,我们平时调试时可以选择在SRAM中进行硬件调试。除此之外,SRAM 存储器的写入速度比在内部 FLASH 中要快得多,所以下载程序到SRAM中的速度较快。
在SRAM的仿真调试配置比FLASH中的配置要麻烦一点~ 1、硬件设置 BOOT0配置为1,BOOT1配置为1。 2、keil设置 (1)新建一个target,并修改名称为SRAM: (2)切换至SRAM Target: (3)点击Project->Options for Target SRAM ...(也可以点击魔术棒那个图标)Target选项卡设置: ...
这样处理起来简单一些。Flash的读写速度比SRAM慢很多，而且Flash的擦写次数都是有限制的，往Flash中写入...