其中，浙江驰拓科技公司发布了一项突破性进展——"A novel Channel-less SOT-MRAM with 115% TMR, 2 ns Switching, and High Bit Yield (>99.9%)",《一种具有115% TMR（隧道磁电阻比）、2纳秒切换速度及高比特良率（>99.9%）的无轨道SOT-MRAM》，格外引入注目。据了解，驰拓科技首次提出了适合大规模制造...
- 结构不同：SOT-MRAM 的结构由两个磁性层组成，下层是反铁磁性，上层是带有自旋极化的铁磁性，两层之间有一层绝缘层隔开。而 STT-MRAM 单元的磁性层结构也是由两个磁性层和一个隔离层组成，其中一个磁性层带有固定方向的自旋极化，另一个磁性层则受到外部磁场和电流的影响，以改变其磁化方向。- 工作原理不同...
磁性随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)是一种非易失存储技术,它采用磁性隧道结(Magnetic Tunnel Junction, MTJ)作为存储单元,通过改变磁矩方向切换高低阻态,从而实现“0”和“1”的数据存储。与传统的电荷存储器(如DRAM和Flash)不同,MRAM无需依赖...
自旋轨道力矩磁性随机存取存储器(SOT-MRAM, Spin-Orbit Torque MRAM)是在STT-MRAM基础上的重要改进,它采用全新的写入机理——自旋轨道力矩效应,将写入速度从10-50纳秒缩短至2纳秒左右,同等工作条件功耗降低至原来的千分之一,可重写次数提升至无限次,但当前受制于位元良率低等关键问题,一直不具备产品化条件。 END...
STT-MRAM 具有柱状结构,是一种双端器件。当在存储器阵列配置中实现时,每个 MTJ 单元只需要一个选择设备(通常是一个(存取)晶体管)来选择用于读取或写入的存储器元件。SOT-MRAM 具有独立的读写路径,是一种三端器件。在这种情况下,每个存储元件需要两个存取晶体管:一个用于读取操作,一个用于写入操作。因此,虽然...
无扩展轨道层新型SOT-MRAM器件解读 驰拓科技发布的无扩展自旋轨道层垂直型SOT-MRAM器件结构,如下图所示。 传统方案 驰拓科技创新方案 该结构的关键创新在于将MTJ直接放置在两个底部电极之间,MTJ两侧与底部电极部分重叠。在进行MTJ刻蚀时,该结构不需要精确停止在厚度大约5 nm左右的轨道层表面,而是可以进行过刻蚀,从而大...
这一技术突破，有望为SOT-MRAM的规模化生产与应用开辟新道路。驰拓科技在SOT-MRAM领域取得新突破近期，驰拓科技在国际微电子顶级学术会议IEDM上，首次提出了适合大规模制造的无轨道垂直型SOT-MRAM器件结构。这一创新设计显著简化了SOT-MRAM的工艺流程，降低了制造难度，从而在理论上大大提升了器件良率。该研究成果一经...
STT-MRAM采用了柱状结构,是一种双端子器件。当在存储器阵列配置中实现时,每个MTJ单元仅需要一个选择器件(通常是一个(存取)晶体管),来选用于读取或写入的存储元件。具有独立读写路径的SOT-MRAM则是一种三端子器件。在这种情况下,每个存储元件需要两个存取晶体管:一个用于读操作,另一个则用于写操作。因此,独立的...
特别是无轨道SOT-MRAM器件结构的提出，更是推动了其向工业化应用的步伐。随着材料科学、器件设计和制造技术的不断突破，SOT-MRAM有望逐步实现商用化，并与SRAM存储器等传统技术展开竞争。其应用领域不仅局限于高性能嵌入式存储和缓存等传统领域，更将在存内计算、神经形态计算、随机计算等新兴领域展现出广阔的应用前景...
该结构的创新之处在于将MTJ直接放置在两个底部电极之间,并允许过刻蚀,从而大幅度增加了刻蚀窗口,降低了刻蚀过程的难度。 这一突破性设计使得12英寸晶圆上SOT-MRAM器件的位元良率从99.6%提升至超过99.9%,达到了大规模制造的要求。 同时,该器件实现了2纳秒的写入速度,超过1万亿次的写入/擦除操作次数(测量时间上限),...