金融界 2025 年 1 月 16 日消息,国家知识产权局信息显示,浙江驰拓科技有限公司申请一项名为“SOT-MRAM 器件制备方法及 SOT-MRAM 器件”的专利,公开号 CN 119300698 A,申请日期为 2024 年 12 月。 专利摘要显示,本发明公开了一种 SOT‑MRAM 器件制备方法及 SOT‑MRAM 器件,属于磁性存储器技术领域。本发明...