STRH13N20SY1 STRH13N20SY3 N-channel 200V - 0.18Ω - SMD-0.5 Rad-hard low gate charge STripFET™ Power MOSFET Features Type VDSS STRH13N20SY3 )STRH13N20SY3 200 V 200 V t(s■ Low RDS(on) uc■ Fast switching d■ Single event effect (SEE) hardned ro■ Low total gate charge...
威兆半导体 - N-CHANNEL ADVANCED POWER MOSFET,N沟道高级功率MOSFET,VS6880AT 2023/7/5 - 数据手册 - Rev E VS3614GE 30V/31A N沟道高级功率MOSFET 该资料详细介绍了VS3614GE这款30V/31A N-Channel Advanced Power MOSFET的特性,包括其增强模式、低RDS(on)以减少导通损耗、VitoMOS®Ⅱ技术等。资料还提...
爱企查为您提供ROHM品牌RU1J002YNTCL型号电子元器件SMD/SMT封装MOSFET N-Channel,哈勃智能科技(郑州)有限公司售卖商品,可电话联系商家或留言询价。电子元器件;电子元器件批发;电子元器件行情报价;电子元器件价格;电子元器件底价;电子元器件图片;电子元器件厂家;
SMD15N06-VB是VBsemi品牌的N沟道场效应晶体管,具有60V的漏极-源极电压承受能力和45A的漏极电流承受能力。采用TO252封装,适合于中功率应用。该晶体管具有低导通电阻和高电流承受能力,可用于各种电路中实现高效的电流控制。 **详细参数说明:**- 漏极-源极电压承受能力:60V- 漏极电流承受能力:45A- 导通电阻(RDS(...
SMD15N06-VB是一种采用TO252封装的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应管),具有60V的耐压等级和45A的最大电流承载能力。该MOSFET的RDS(On)阈值电压为24mΩ,当栅极电压VGS(栅源电压)为10V时,漏源电阻Rds(on)为24mΩ;当VGS为20V时,Rds(on)进一步降低至1.8V。这种MOSFET适用于低至中等电压应用,能够有效地控制...
N-Channel Enhancement MOSFET Electronics Component Part Number: JH2302B Major Parameter: TypeChannelVDSS(V) (MAX)ID(A) (MAX)PD(W) (MAX)VGS(V) (MAX)VTH(V)Rds(on)(Ω) @10V (Typ)Rds(on)(Ω) @4.5V (Typ)Rds(on)(Ω) @2.5V(Typ)ESD protection for G-S(Y/N)Outline ...
类型 MOSFET 型号 FDS8958A 技术参数 品牌: FAIRCHILD/仙童 型号: FDS8958A 封装: SMD-8 批号: 00+ 数量: 10 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SO-8 通道数量: 2 Channel 晶体管极性: N-Channel, P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 30...
产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-3PN-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 500 V Id-连续漏极电流: 28.4 A Rds On-漏源导通电阻: 160 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 30 V 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度...
产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SSOT-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 20 V Id-连续漏极电流: 1.3 A Rds On-漏源导通电阻: 210 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V Vgs th-栅源极阈...
产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SO-8 通道数量: 2 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 6.5 A Rds On-漏源导通电阻: 29 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V Qg-栅极电荷: 22 nC 最小工作温度...