金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 品牌 Din-Tek 封装类型 表面贴片封装 其他属性 安装类型 表面贴装 描述 DTU3708 原产地 Guangdong, China 封装/外壳 TO-252-4 类型 TO-252-4 工作环境温度 25 ° C-150 °C 系列 TO-252-4 D/C 标准
型号 LP2309LT1G 种类 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 品牌 WLBE 封装类型 表面贴片封装 其他属性 安装类型 SMD 描述 mosfet transistors 原产地 Guangdong, China 封装/外壳 SOT-23 D/C NEW 应用 Portable Equipment 供应类型 ODM 品名 P-Channel MOSFET ...
产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PowerPAK-1212-8 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 35 A Rds On-漏源导通电阻: 12.3 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 10 V Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V Qg-栅极电荷: 39 nC...
P-Channel Technology Mosfet (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V Continuous Drain (ID) @ 25°c 5.3A (Ta) Drive Voltage (Max RDS on, Min RDS on) 4.5V, 10V RDS on (Max) @ ID, Vgs 50mohm @ 5.3A, 10V Vgs(Th) (Ma...
产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 SO-8 通道数量 1 Channel 晶体管极性 P-Channel Vds-漏源极击穿电压 30 V Id-连续漏极电流 5.3 A Rds On-漏源导通电阻 65 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 20 V 最小工作温度 - 55 C 最大工作温度 + 150 C Pd-功率耗散 2.5...
G16p03D3 -30V -16A Electronic Component SMD Mosfet Factory Direct, Find Details and Price about Electronic Component P Channel Mosfet from G16p03D3 -30V -16A Electronic Component SMD Mosfet Factory Direct - Wuxi Goford Semiconductor Co., Ltd.
PD - 91433C抗辐射功率MOSFET表面贴装( SMD - 2 )IRHNA9160JANS,51电子网为您提JANSR2N7425U供应商信息,JANSR2N7425UPDF资料信息,采购JANSR2N7425U,就上51电子网。
P25LF12SL、P25LF12SN是新电元(SHINDENGEN)推出的两款性能优异的功率MOSFET,漏源电压均为120V,连续漏极电流(DC)均为25A,允许大电流,小型SMD,均符合ROHS无铅标准,主要应用于负载/电源开关、电源转换器电路、DC-DC转换器、电源管理等领域。两款产品尺寸均为6.05mm*5.3mm*1.05mm。 图1 P25LF12SL、P25LF12SN...
SMD15N06-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 MOSFET MOS管 VBsemi 型号: SMD15N06-VB 品牌: VBsemi(微碧) 立即咨询 --- 产品参数 --- 封装 TO252封装 沟道 N—Channel --- 数据手册 ---SMD15N06-VB.pdf --- 产品详情 --- **产品简介:**SMD15N06-VB是VBsemi品牌的N...
产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: ChipFET-8 通道数量: 2 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 20 V Id-连续漏极电流: 4.1 A Rds On-漏源导通电阻: 120 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 8 V 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散...