这使得 P 沟道 MOSFET 成为高边开关的理想之选。器件设计简洁,有利于在有限空间内打造低压驱动应用和非隔离 POL 产品。P 沟道 MOSFET 特性的一大优势在于可简化栅极驱动技术,这通常可降低整体成本。 P沟道功率MOSFET产品 英飞凌提供各种P沟道功率MOSFET电压。请在下面浏览我们的产品。
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pchannel mosfet（P型沟槽MOSFET）是一种新型mosfet，它采用p-Channel结构来控制电流。企业名片 p-Channel MOSFET具有高开关速度、低导通电阻和高驱动电压的特性，其开关频率高达MHz以上，是传统mosfet的10倍以上。pchannel mosfett在应用方面主要适用于高速数字信号处理系统（DSP）、通信系统、电力电子和功率半导体等领域...
通道数量 1 Channel 晶体管极性 P-Channel Vds-漏源极击穿电压 30 V Id-连续漏极电流 13 A Rds On-漏源导通电阻 9.3 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 25 V 最小工作温度 - 55 C 最大工作温度 + 150 C Pd-功率耗散 2.5 W 配置 Single 通道模式 Enhancement 高度 1.75 mm 长度 4.9 ...
λ is the channel modulation. To specify the parallel conductance of the channel, connect an Environment Parameters block to the electrical network. Then, set the minimum conductance of the P-Channel MOSFET block and other SPICE-compatible blocks by setting the GMIN parameter of the Environment Par...
λ is the channel modulation. To specify the parallel conductance of the channel, connect an Environment Parameters block to the electrical network. Then, set the minimum conductance of the P-Channel MOSFET block and other SPICE-compatible blocks by setting the GMIN parameter of the Environment Par...
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60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETDescription and Applications This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (R DS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. ∙ Backlighting ∙ Power Management Functions ...
P-Channel 40-V (D-S) MOSFET Si4401DY Vishay Siliconix PRODUCT SUMMARY VDS (V) - 40 RDS(on) (Ω) 0.0155 at VGS = - 10 V 0.0225 at VGS = - 4.5 V ID (A) - 10.5 - 8.7 FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFETs SO-8 S1...
产品描述: SEMITEH 30V P-Channel MOSFET 单位: PCS 封装: SOT-23 品牌: SEMITEHELEC 最小包装: 3000 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购...