产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-263-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 200 V Id-连续漏极电流: 15 A Rds On-漏源导通电阻: 160 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗...
SMD15N06-VB是VBsemi品牌的N沟道场效应晶体管,具有60V的漏极-源极电压承受能力和45A的漏极电流承受能力。采用TO252封装,适合于中功率应用。该晶体管具有低导通电阻和高电流承受能力,可用于各种电路中实现高效的电流控制。 **详细参数说明:**- 漏极-源极电压承受能力:60V- 漏极电流承受能力:45A- 导通电阻(RDS(...
基于低成本N沟道MOSFET 2N7002K的自动双向电平转换电路如下图所示。 图1 电平转换电路图 电路采用PANJIT的MOSFET 2N7002K和两颗电阻实现。该电路用来连接处理器和外设,左边处理器电压为3.3V,右边外设电压为5V。实际测试两端的信号波形如下图所示。 图2 3.3V转5V波形图 黄色波形为左边3.3V侧,蓝色波形为右边5V侧,...
产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 PDFN-8 通道数量 1 Channel 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 25 V Id-连续漏极电流 100 A Rds On-漏源导通电阻 3.3 mOhms Vgs th-栅源极阈值电压 1.3 V Qg-栅极电荷 17 nC 最小工作温度 - 55 C 最大工作温度 +...
CSD17304Q3 MOSFET 30V N-Channel VSON-CLIP-8 场效应管 批次:新 产品属性 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VSON-CLIP-8 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:30 V Id-连续漏极电流:…
STRH13N20SY1 STRH13N20SY3 N-channel 200V - 0.18Ω - SMD-0.5 Rad-hard low gate charge STripFET™ Power MOSFET Features Type VDSS STRH13N20SY3 )STRH13N20SY3 200 V 200 V t(s■ Low RDS(on) uc■ Fast switching d■ Single event effect (SEE) hardned ro■ Low total gate charge...
产品种类 MOSFET RoHS 是 技术 Si 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 SOT-323-3 晶体管极性 N-Channel 通道数量 1 Channel Vds-漏源极击穿电压 50 V Id-连续漏极电流 220 mA Rds On-漏源导通电阻 3.5 Ohms Vgs - 栅极-源极电压 - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压 800 mV 最...
产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 380 mA Rds On-漏源导通电阻: 2 Ohms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V ...
产品种类 MOSFET RoHS 是 技术 Si 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 PDFN-8 通道数量 1 Channel 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 25 V Id-连续漏极电流 100 A Rds On-漏源导通电阻 3.3 mOhms Vgs th-栅源极阈值电压 1.3 V Qg-栅极电荷 17 nC 最小工作温度 - 55 C 最大工作温度 + 150 C...
**VBsemi ME2318-VB MOSFET** - **封装类型:** SOT23- **沟道类型:** N-Channel- **最大耐压:** 30V- **最大连续漏极电流:** 6.5A- **导通电阻(RDS(ON)):** 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- **门极阈值电压(Vth):** 1.2~2.2V **详细参数说明:**- **封装类型:** SOT23是一种小型SMD...