产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-220-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 120 A Rds On-漏源导通电阻: 5.5 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V Qg-栅极电荷: 68 nC Pd-功率耗散: 140 W 配置: Single...
自研产品以20V—150V的中低压MOSFET为主,分为抗冲击能力突出的Trench(沟槽型)MOSFET和具备高频、高动态特性的SGT MOSFET(低屏蔽栅沟槽型)两大系列,已量产的产品达到400余种,广泛应用于电动车、汽车电子、5G基站、电动工具、储能、消费电子等领域,特别是在电机驱动、电池储能领域拥有较高的市场占有率;封测产品主要有...
总的来说,2SK2955-VB 是一款适用于低压高功率场合的N沟道MOSFET,具有极高的性能和稳定性,可以满足各种高功率电子设备的需求。
总的来说,2SK2991-VB 是一款适用于中高压场合的N沟道MOSFET,具有高性能和稳定性,可以满足各种高功率电子设备的需求。
系列 NTMFS4C10N 晶体管类型 1 N-Channel 商标 ON Semiconductor 正向跨导 - 最小值 43 S 下降时间 7 ns 产品类型 MOSFET 上升时间 34 ns 工厂包装数量 1500 子类别 MOSFETs 典型关闭延迟时间 14 ns 典型接通延迟时间 9 ns 单位重量 107.200 mg 可售卖地 全国 型号 NTMFS4C10NT1G 产品详情 技术参数 品...
产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SO-8FL-4 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 52 A Rds On-漏源导通电阻: 5.8 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 ...
### 产品简介详细:AP6680BGM-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用Trench技术。其主要技术参数如下:- **包装类型:** SOP8 - **配置:** 单N沟道 - **最大漏极-源极电压(VDS):** 30V - **最大栅极-源极电压(VGS):** ±20V - **阈值电压(Vth):** 1.7V - **导通电阻(RDS(ON)):**...
型号 HYG090N06LS1C1 Single N-Channel 60V/36A Enhanc 深圳市汇友迪科技是华羿微-Huayi原厂指定代理商 华羿微电子股份有限公司(以下简称“公司”)成立于2017年6月28日,注册资金4.15亿元,是华天电子集团旗下专业从事半导体功率器件研发设计、封测和销售的高新技术企业。公司位于西安经开区尚稷路8928号,占地面积200...
AP6680GM-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 SOP8 封装,适用于中功率和低导通电阻的功率开关应用。该器件具有适中的 VDS(30V)和极低的 RDS(ON),采用先进的 Trench 技术,适合要求高效能和高可靠性的电源系统设计。 ### 2. 详细的参数说明: - **封装类型**: SOP8 ...
产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SO-8FL-4 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 52 A Rds On-漏源导通电阻: 5.8 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 ...