1 Silicon N_Channel MOSFET Tetrode • Short-channel transistor with high S / C quality factor • For low-noise, gain-controlled input stage up to 1 GHz • Pb-free (RoHS compliant) package 1)• Qualified according AEC Q101 ESD (E lectro s tatic d ischarge) sensitive device...
2SK3746【N-CHANNEL SILICON MOSFET】 已售少于100 ￥32.09点击查看更多配送: 广东深圳至 阳泉城区 快递: 50.00现货,付款后48小时内发货 保障:7天无理由退货查看更多 用户评价 参数信息 图文详情 本店推荐 用户评价 参数信息 品牌 shengyuan 图文详情 0 本店推荐 BC337-40ZL1G【SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR】...
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产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 ThroughHole 封装/箱体 SC-65-3 晶体管极性 N-Channel 通道数量 1Channel Vds-漏源极击穿电压 500V Id-连续漏极电流 20A RdsOn-漏源导通电阻 270mOhms Vgs-栅极-源极电压 -30V,+30V Vgsth-栅源极阈值电压 2V Qg-栅极电荷 45nC 最大工作温度 +150C...
圣元科技电子商城 4.8 物流体验优秀 商品体验优秀 服务体验良好 已售少于100 ￥32.09点击查看更多 配送: 广东深圳至 阳泉城区 快递: 50.00现货,付款后48小时内发货 保障: 7天无理由退货 破损包退 查看更多 参数信息 品牌 shengyuan 图文详情
产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SO-8 晶体管极性: N-Channel, P-Channel 通道数量: 2 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 8.5 A, 7 A Rds On-漏源导通电阻: 21 mOhms, 39 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: - 2.2 ...