nm是英文单词Non Channel Silicon Fields的缩写。即非通道硅半导体场效应器件。它是基于SiC材料制作的一种新型mosfet，其工作原理与传统的MOSFET相同，但结构上具有许多优点：无寄生电容、输入阻抗高、开关速度快等；同时由于采用SiC作为衬底材料而大大降低芯片的功耗。2、nm的特点：（1） NCHANEL MOSFET在电压和电流变...
MOSFET 型号 NDS8425 技术参数 品牌: FAIRCHILD 型号: NDS8425 批号: 20+ 封装: SOP8 数量: 6555 QQ: 2922598649 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SO-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 20 V Id-连续漏...
P 沟道 MOSFET 在低功率应用中的价值 StrongIRFET™ 40-60 V 功率 MOSFET,采用 D2PAK 7pin+ 封装 大电流应用中的并联 MOSFETs TOLG:创新型鸥翼式引脚 TO 封装 叉车:采用英飞凌组件的内部物流解决方案 硅、碳化硅还是氮化镓?功率器件的正确之选 选择合适的功率 MOSFET——技术及建议 ...
P-Channel MOSFET N+P Channel MOSFET SGT MOSFET Super Junction MOSFET 作为领先的功率器件设计与制造商,砹德曼半导体致力于推广性能卓越、质量稳定并且极具价格竞争力的全系列MOSFET产品。我们为电路设计师们提供全面的产品选择,击穿电压覆盖-200V至300V,配合最先进的封装技术,为您提供100mA至400A的电流选择范围。我...
N-Channel 60V (D-S) MOSFET 数据手册说明书 N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition •Low Threshold: 2 V (typ.)•Low Input Capacitance: 25 pF •Fast Switching Speed: 25 ns •Low Input and Output Leakage •TrenchFET ® ...
N 沟道功率 MOSFET 电压等级 N 沟道沟槽栅功率 MOSFET N 沟道功率 MOSFET 应用 这一包含 OptiMOS™、StrongIRFET™ 和 CoolMOS™ 解决方案的广泛产品组合可减少占板面积,提高额定电流并优化热性能,适用于各类工业及汽车应用。 工业应用 汽车应用
N-Channel 25-V (D-S) MOSFET SiS436DN Vishay Siliconix PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) (Ω) 0.0105 at VGS = 10 V 25 0.013 at VGS = 4.5 V ID (A)a, g 16 16 Qg (Typ.) 6.7 nC PowerPAK® 1212-8 3.30 mm D 8D 7 D 6 D 5 S 1S 3.30 mm 2 S 3 G 4 Bottom View ...
CJAB18SN03 N-Channel MOSFET SGT NO 30 ±20 18 1～2.5 11.5 15 17.5 23 PDFNWB3.3×3.3-8L CJAC110SN10H Single-N SGT No 100 ±20 110 2~4 4.5 5.2 PDFNWB5×6-8L CJAC110SN10L Single-N SGT No 100 ±20 110 1.5~2.5 4.3 5.2 6.0 7.8 PDFNWB5×6-8L CJM2004 Single-N Trench No...
www.vishay.com SiJ150DP Vishay Siliconix N-Channel 45 V (D-S) MOSFET PowerPAK® SO-8L Single 6.15 mm 1 5.13 mm Top View PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) max. () at VGS = 10 V RDS(on) max. () at VGS = 4.5 V Qg typ. (nC) ID (A) a Configuration D 1 2S 3S...
VBsemi NCE3402-VB 是一款 N—Channel 沟道的场效应晶体管,具体参数如下: - 额定电压(VDS):30V - 额定电流(ID):6.5A - 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):30mΩ(在VGS=10V, VGS=20V时) - 阈值电压(Vth):1.2~2.2V 封装为 SOT23。 **应用简介:** ...