产品: MOSFET Small Signal 系列: FDMA1024NZ 晶体管类型: 2 N-Channel 宽度: 2 mm 商标: ON Semiconductor / Fairchild 下降时间: 2.2 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 2.2 ns 工厂包装数量: 3000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 18 ns 典型接通延迟时间: 5.3 ns 单位重量: 40 mg PDF资料 电子管-...
产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: Power-33-8 通道数量: 2 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 18 A Rds On-漏源导通电阻: 16 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V Qg-栅极电荷: 7.3 nC, 16 nC 最小工作温度: - 55 C 最大...
产品种类 MOSFET RoHS 是 技术 Si 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 SSOT-6 晶体管极性 N-Channel, P-Channel 通道数量 2 Channel Vds-漏源极击穿电压 60 V Id-连续漏极电流 510 mA Rds On-漏源导通电阻 1 Ohms Vgs - 栅极-源极电压 20 V 最小工作温度 - 55 C 最大工作温度 + 150...
Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET Si7964DP Vishay Siliconix PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) (Ω) 60 0.023 at VGS = 10 V ID (A) 9.6 Qg (Typ.) 43 PowerPAK SO-8 FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET • New Low Thermal...
产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SO-8 晶体管极性: N-Channel, P-Channel 通道数量: 2 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 8.5 A, 7 A Rds On-漏源导通电阻: 21 mOhms, 39 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: - 2.2 ...
www.vishay.com SiZF5300DT Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 3.3 mm PowerPAIR® 3 x 3FS V+ V+ LSG 3 4 GND 2 1 5 V+ 6 1 3.3 mm Top View GND 12 11 7 8 HSG 9 SW 10 SW SW Bottom View PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) max. (Ω) at VGS = 10 V ...
### 1. 产品简介详细:AP6904GH-HF-VB 是一款双 N 沟道 MOSFET,采用 TO252-4L 封装,适用于中功率和低导通电阻的功率开关应用。该器件具有适中的 VDS(30V)和低 RDS(ON),采用先进的 Trench 技术,适合要求高效能和高可靠性的电源系统设计。### 2. 详细的参数说明:- **封装类型**: TO252-4L...
产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 SOT-26-6 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 24 V Id-连续漏极电流 6 A Rds On-漏源导通电阻 20 mOhms 系列 CPH6636R 单位重量 15 mg 可售卖地 全国 型号 CPH6636R-TL-W 技术参数 品牌: ON/安森美 型号: CPH6636R-TL-W 批号: ...
MOSFET – Dual, N-Channel, Logic Level, POWERTRENCH) 30 V, 6 A, 28 mW FDS6912A General Description These N−Channel Logic Level MOSFETs are produced using onsemi's advanced POWERTRENCH process that has been especially tailored to minimize the on−state resistance and yet maintain superior...
描述 30V DUAL ASYMMETRIC N-CHANNEL MO 湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限) 原厂标准交货期 18 周 详细描述 MOSFET-阵列-2-N-沟道(双)非对称型-30V- 数据列表 AONY36354; 标准包装 3,000 包装 标准卷带 零件状态 有源 产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 其它名称 785-1828-2 FET 类型...