AP4526GH-VB是一款双N+P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(Dual N+P-Channel MOSFET),采用TO252-4L封装。它具有共源极配置,适用于需要同时控制正负电压的电路设计。该器件采用沟槽技术,具有优异的导通特性和低导通电阻,适合于高效能量转换和电源管理应用。 ### 详细参数说明 - **型号**:AP4526GH-VB - **封...
AP4521GEH-VB 是一款双N+P沟道共源结构的功率MOSFET,采用TO252-4L封装,适合需要同时控制正负沟道的应用设计。该器件具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于高功率电路和需要高效能量转换的应用场景。 ### AP4521GEH-VB 详细参数说明 - **封装类型**: TO252-4L - **配置**: 双N+P沟道,共源结构 - **...
(FET) or MOSFET. Typical MOSFET transistors may include p-channel (PMOS) transistors and n-channel MOS (NMOS) transistors, depending on the dopant conductivity types, whereas the PMOS has a p-type channel, i.e., holes are responsible for conduction in the channel, and the NMOS has an n...
AP4526AGH-HF-VB 是一款双N+P沟道MOSFET,采用TO252-4L封装,具有优秀的功率管理和开关控制性能。该型号适用于需要高效能和可靠性的电源管理解决方案的电子设备和系统。 ### AP4526AGH-HF-VB 详细参数说明 - **封装类型**:TO252-4L - **配置**:双N+P沟道,Common Drain - **漏源极电压 (VDS)**:±4...
AP4527GH-VB 是一款双通道共源 N+P-Channel MOSFET,采用 TO252-4L 封装,适用于高电压和高电流的应用场合。该器件结合了 N-Channel 和 P-Channel MOSFET 的优点,具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于要求高效能量转换和可靠性的电路设计。 ### 详细参数说明 ...
AP4523GH-VB是一款双N+P沟道MOSFET,采用TO252-4L封装,具有常开式放大器(Common Drain)配置。该器件设计用于需要同时控制正负电流的应用场合,结合了高电压承受能力和低导通电阻的特性。 ### 详细参数说明 - **封装形式**:TO252-4L - **配置**:双N+P沟道,常开式放大器 ...
AP4506GEH-VB 是一款双通道共源 N+P-Channel MOSFET,采用 TO252-4L 封装,适合于高压应用环境。该器件结合了 N-Channel 和 P-Channel MOSFET 的优点,具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于要求高效能和可靠性的电路设计。 ### 详细参数说明 - **型号:** AP4506GEH-VB ...