描述 30V DUAL ASYMMETRIC N-CHANNEL MO 湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限) 原厂标准交货期 18 周 详细描述 MOSFET-阵列-2-N-沟道(双)非对称型-30V- 数据列表 AONY36354; 标准包装 3,000 包装 标准卷带 零件状态 有源 产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 其它名称 785-1828-2 FET 类型...
Features Dual Asymmetric N-Channel High Current Capability Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Low Gate Charge Pb-free lead plating; RoHS compliant Symbol ParameterRatingUnitQ1 Q2V(BR)DSS Drain-Source breakdown voltage 30 30 VVGS Gate-Source voltage ±20 ±20 VSI Diode...
描述: 30V DUAL ASYMMETRIC N-CHANNEL MO 湿气敏感性等级 (MSL): 1(无限) 原厂标准交货期: 18 周 详细描述: MOSFET-阵列-2-N-沟道(双)非对称型-30V- 数据列表: AONY36354 标准包装: 3,000 包装: 标准卷带 零件状态: 有源 产品族: 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 其它名称: 785-1828...
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668Kb/12P30V Asymmetric Dual N-Channel Power MOSFET QA3117N3N 3Mb/12P30V Asymmetric Dual N-Channel Power MOSFET More results ManufacturerPart #DatasheetDescription uPI Group Inc.QA3111N6N 755Kb/12P30V Asymmetric Dual N-Channel Power MOSFET ...
功能描述DualAsymmetricN-channelTrenchMOSFET30V Download9 Pages Scroll/Zoom 100% 制造商MGCHIP [MagnaChip Semiconductor.] 网页http://www.magnachip.co.kr 标志 类似说明 - MDU5692S 制造商部件名数据表功能描述 MagnaChip Semiconductor...MDU5693
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All Asymmetric Common Drain Complementary Dual Single All N N1 N2 P All -30 -20 -16 -12 20 30 All 20/-16 8 12 20 25 All -4 -3 -2.5 -2 -1.9 -1.2 -1 -0.85 1 1.2 2.2 2.5 3 All 123 -39 -100 -85 -80 -75 -72 -70 -65 -62 -59 -56 -50 -46 -45 -35 -26...
制造商 部件名 数据表 功能描述 MagnaChip Semiconductor... MDU5692S 1Mb / 9P Dual Asymmetric N-channel Trench MOSFET 30V MDU5692SVRH 1Mb / 9P Dual Asymmetric N-channel Trench MOSFET 30V More results 类似说明 - MDU5693 制造商 部件名 数据表 功能描述 MagnaChip Semiconductor... MDU5593S 1Mb...