这使得 P 沟道 MOSFET 成为高边开关的理想之选。器件设计简洁,有利于在有限空间内打造低压驱动应用和非隔离 POL 产品。P 沟道 MOSFET 特性的一大优势在于可简化栅极驱动技术,这通常可降低整体成本。 P沟道功率MOSFET产品 英飞凌提供各种P沟道功率MOSFET电压。请在下面浏览我们的产品。
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755-RZM002P02T2L场效应管(MOSFET)1P-ChannelMOSFET SOT-723-3 深圳市光格集成电路有限公司9年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.80 场效应管FDN338P ON仙童 贴片SOT-23P-Channel20V/1.6A MOS管 深圳市中鹏科技有限公司7年 月均发货速度:暂无记录 ...
pchannel mosfet（P型沟槽MOSFET）是一种新型mosfet，它采用p-Channel结构来控制电流。企业名片 p-Channel MOSFET具有高开关速度、低导通电阻和高驱动电压的特性，其开关频率高达MHz以上，是传统mosfet的10倍以上。pchannel mosfett在应用方面主要适用于高速数字信号处理系统（DSP）、通信系统、电力电子和功率半导体等领域...
SI2343CDS-T1-GE3P-Channel30V MOSFET SOT-23 P沟道场效应管 深圳市晶芯微半导体有限公司16年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.25 全新原装IRLML6302TR SOT23 MOS场效应管 IRLML6302 正品现货 FET类型 1,P-Channel 深圳市科航源电子有限公司10年 ...
pchannel mosfet(P型沟槽MOSFET)是一种新型mosfet,它采用p-Channel结构来控制电流。p-Channel MOSFET具有高开关速度、低导通电阻和高驱动电压的特性,其开关频率高达MHz以上,是传统mosfet的10倍以上。 pchannel mosfett在应用方面主要适用于高速数字信号处理系统(DSP)、通信系统、电力电子和功率半导体等领域中。
2305BGN-VB是VBsemi品牌推出的P—Channel MOSFET,采用SOT23封装。以下是该器件的详细参数说明和应用简介: - **参数:** - 封装类型:SOT23 - 沟道类型:P—Channel - 最大耐压:-30V - 最大漏极电流:-5.6A - 开启电阻:47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V ...
Parameter Symbol T ypical Maximum Unit Junction-to-Ambient b t ≤ 10 sec R thJA 2025°C/W Steady State 6275Junction-to-Case R thJC 5 6 P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET ® Power MOSFET •100 % UIS Tested APPLICATIONS •Load Switch www.VBsemi.tw P9006EDG 1 ...
P-Channel MOSFET P-Channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using either Shichman-Hodges equation or surface-potential-based model expand all in page Libraries: Simscape / Electrical / Semiconductors & Converters Description The P-Channel MOSFET block provides two main modeling modeling...
- 沟道类型: P-Channel - 额定电压: -30V - 额定电流: -5.6A - 开态电阻: RDS(ON) = 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V - 阈值电压: Vth = -1V 应用简介: MEM2307XG-VB是一款SOT23封装的P-Channel MOSFET,具有-30V额定电压和-5.6A额定电流。其低开态电阻(47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V)和适度的阈值...