这使得 P 沟道 MOSFET 成为高边开关的理想之选。器件设计简洁,有利于在有限空间内打造低压驱动应用和非隔离 POL 产品。P 沟道 MOSFET 特性的一大优势在于可简化栅极驱动技术,这通常可降低整体成本。 P沟道功率MOSFET产品 英飞凌提供各种P沟道功率MOSFET电压。请在下面浏览我们的产品。
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pchannel mosfet（P型沟槽MOSFET）是一种新型mosfet，它采用p-Channel结构来控制电流。企业名片 p-Channel MOSFET具有高开关速度、低导通电阻和高驱动电压的特性，其开关频率高达MHz以上，是传统mosfet的10倍以上。pchannel mosfett在应用方面主要适用于高速数字信号处理系统（DSP）、通信系统、电力电子和功率半导体等领域...
未来,随着3D打印技术向更高精度、更高效率和多材料打印方向发展,对电源管理器件的要求将更加严格。高性能MOSFET将朝着更低功耗、更高集成度和更小封装的方向发展。WST3401A的高性能特性使其能够适应这些新兴应用,有望在未来市场中占据重要份额。 四、总结 WST3401A是一款高性能的P-Channel MOSFET,具有低导通电阻、...
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现货供应FQPF12P20 7.3A 200V 0.47Ω TO-220F MOSFET-P场效应管 FET类型 P沟通,MOS管,P-Channel场效应管 深圳市昂美森电子有限公司5年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市南山区 ¥1.68 IRF9Z34NPBF IRF9Z34N TO-220 P沟道MOS管MOSFET 55V 17A 直插 ...
The P-Channel MOSFET block models five types of fault: Open circuit— Failure due to metallization burnout Drain-source short— Failure due to avalanche breakdown on drain-source channel Drain-bulk short or source-bulk short— Failure due to avalanche breakdown on drain-bulk or source-bulk chann...
VBsemi G2305-VB是一款P沟道场效应管(P-Channel MOSFET)芯片,具有以下关键参数和特性: - 额定电压(VDS):-30V - 额定电流(ID):-5.6A - 开关电阻(RDS(ON)):47mΩ(在VGS=10V和VGS=20V时) - 阈值电压(Vth):-1V **封装:** SOT23 **应用简介:** ...
The P-Channel MOSFET block models five types of fault: Open circuit— Failure due to metallization burnout Drain-source short— Failure due to avalanche breakdown on drain-source channel Drain-bulk short or source-bulk short— Failure due to avalanche breakdown on drain-bulk or source-bulk chann...
产品描述: SEMITEH 30V P-Channel MOSFET 单位: PCS 封装: SOT-23 品牌: SEMITEHELEC 最小包装: 3000 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购...