特别是在电动汽车、光伏发电、智能电网和轨道交通等领域中,SiC MOSFET作为核心功率器件,发挥着至关重要的作用。例如,在电动汽车中,SiC MOSFET被用于电机驱动系统中的逆变器中,以提高电机系统的效率和可靠性;在光伏发电中,SiC MOSFET则用于逆变器和光伏控制器等部件中,以提高系统的转换效率和稳定性。 SiC SBD SiC SB...
特别是在电动汽车、光伏发电、智能电网和轨道交通等领域中,SiC MOSFET作为核心功率器件,发挥着至关重要的作用。例如,在电动汽车中,SiC MOSFET被用于电机驱动系统中的逆变器中,以提高电机系统的效率和可靠性;在光伏发电中,SiC MOSFET则用于逆变器和光伏控制器等部件中,以提高系统的转换效率和稳定性。 SiC SBD SiC SB...
SiC SBD:它具有高温性能,可以在高温环境中工作,这使其能够应用于高武备电子设备,例如飞行器电子电路。此外,SIC SBD具有良好的导电能力,从而可以减少由于散热不足而导致的功耗降低。 SiC MOSFET:它具有低搅乱,爬升时间快,损耗小等优点,同时精度也很高,可以用于操作的频率较高的电子设备。
【新品】三菱电机推出..【新品】三菱电机推出两款新型SBD嵌入式SiC-MOSFET模块Unifull™ 3.3kV SBD嵌入式SiC-MOSFET模块三菱电机集团近日(2024年6月10日)宣布,从6月10日起开始为包括
三菱电机株式会社于6月10日起，为大型工业设备如机车车辆和电力系统，正式出货低电流版本的3kV/400A和3kV/200A肖特基势垒二极管（SBD）嵌入式碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）模块。与现有3kV/800A版本一同，新推出的UnifullTM系列包含三款模块，旨在满足大型工业设备对高性能逆变器的迫切需求，...
碳化硅SBD与MOSFET的基本制造方法相同,SBD结构简单、制造工艺相对简单,MOSFET的制造工艺相对复杂,以结构最简单的横向、平面型MOSFET为例说明如下: (1)图形化氧化膜。清洗晶圆,制作一层氧化硅(SiO2)薄膜,涂布光刻胶,经过匀胶、曝光、显影等步骤形成光刻胶图形,最后通过刻蚀工艺将图形转移到氧化膜上。
三、沟槽型碳化硅(Sic)MOSFET提升性能 SiC功率器件研究要追溯到上世纪80年底啊,自从2001年Infineon推出第一款商业SiC二极管以来,SiC器件的研究已经得到了极大的发展。 目前,SiC二极管(PiN、SBD、JBS)和SiC MOSFET应用最广泛,产业化成熟度最高,SiC IGBT和GTO等器件由于技术难度更大,仍处于研发阶段,距离产业化有较大的...
SiC MOSFET的体二极管虽然是PN 二极管，但是少数载流子寿命较短，所以基本上没有出现少数载流子的积聚效果，与SBD 一样具有超快速恢复性能（几十ns）。因此Si MOSFET的体二极管与IGBT外置的FRD相比，其恢复损耗可以减少到IGBT外置的FRD的几分之一到几十分之一。体二极管的恢复时间与SBD相同，是恒定的，不受正向输入...
2023年5月8日,三菱电机宣布将于5月31日开始新型肖特基势垒二极管(SBD)-嵌入式碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)模块的送样,该模块具有3.3kV的双重耐压和6.0kVrms的介电强度。 新模块有望为铁路和电力系统等大型工业设备的逆变器系统提供卓越的功率、效率和可靠性。三菱电机已经发布了四个完整的SiC模...
1.一种集成sbd的sic mosfet器件制备方法,其特征在于,包括如下步骤: 2.根据权利要求1所述的一种集成sbd的sic mosfet器件制备方法,其特征在于,步骤s100中n+衬底层(1)掺杂n离子,掺杂浓度为1e19cm-2±10%。 3.根据权利要求1所述的一种集成sbd的sic mosfet器件制备方法,其特征在于,步骤s100中n型缓冲层(2)掺杂...