特别是在电动汽车、光伏发电、智能电网和轨道交通等领域中,SiC MOSFET作为核心功率器件,发挥着至关重要的作用。例如,在电动汽车中,SiC MOSFET被用于电机驱动系统中的逆变器中,以提高电机系统的效率和可靠性;在光伏发电中,SiC MOSFET则用于逆变器和光伏控制器等部件中,以提高系统的转换效率和稳定性。 SiC SBD SiC SB...
SiC SBD:SiC SBD(SiC 双极器)是将硅碳和硅晶体作为元件材料,构造出极化硅碳双极器。它由两个正反向双极器组成,每个双极器具有独立的闸、漏和集电极。它属于压力可控元件,具有反向电流保护、发射和抑制功能。由于其高迁移率,SiC SBD能够快速控制压降,从而使绝缘式传输元件具有很大的数据传输率。 SiC MOSFET:SiC MO...
碳化硅SBD与MOSFET的基本制造方法相同,SBD结构简单、制造工艺相对简单,MOSFET的制造工艺相对复杂,以结构最简单的横向、平面型MOSFET为例说明如下: (1)图形化氧化膜。清洗晶圆,制作一层氧化硅(SiO2)薄膜,涂布光刻胶,经过匀胶、曝光、显影等步骤形成光刻胶图形,最后通过刻蚀工艺将图形转移到氧化膜上。 图表1 | 注入掩...
【新品】三菱电机推出..【新品】三菱电机推出两款新型SBD嵌入式SiC-MOSFET模块Unifull™ 3.3kV SBD嵌入式SiC-MOSFET模块三菱电机集团近日(2024年6月10日)宣布,从6月10日起开始为包括
三菱电机的SBD嵌入式SiC-MOSFET模块，包含3月29日发布的3kV/800A版本，均采用了精优的封装设计，旨在减小开关损耗并充分发挥SiC性能。相较于传统电源模块，UnifullTM模块在降低开关损耗方面表现卓越，非常适合用于轨道车辆和驱动系统辅助电源等容量较小但要求严格的场合。Unifull™ 3kV SBD 嵌入式 SiC-MOSFET 模块 ...
SiC MOSFET的体二极管虽然是PN 二极管，但是少数载流子寿命较短，所以基本上没有出现少数载流子的积聚效果，与SBD 一样具有超快速恢复性能（几十ns）。因此Si MOSFET的体二极管与IGBT外置的FRD相比，其恢复损耗可以减少到IGBT外置的FRD的几分之一到几十分之一。体二极管的恢复时间与SBD相同，是恒定的，不受正向输入...
三、沟槽型碳化硅(Sic)MOSFET提升性能 SiC功率器件研究要追溯到上世纪80年底啊,自从2001年Infineon推出第一款商业SiC二极管以来,SiC器件的研究已经得到了极大的发展。 目前,SiC二极管(PiN、SBD、JBS)和SiC MOSFET应用最广泛,产业化成熟度最高,SiC IGBT和GTO等器件由于技术难度更大,仍处于研发阶段,距离产业化有较大的...
一、用SiC SBD代替硅SBD 为了平衡成本和性能，强烈建议更换二极管(用SiC SBD代替硅SBD)。与硅SBD相比，SiCSBD具有更低的trr和lrr，从而带来更低的 Err和更好的系统效率。1、NTH4L015N065SC1：SiC MOSFET，EliteSiC，12mohm，650 V，TO247-4 (1)特性 RDS(on)典型值=12 mΩ @ VGS = 18V；RDS(on)典型...
SiC SBD和SiC MOSFET是由极化硅碳化硅材料制成的芯片,具有较高的散热性和导电性能。 其差异在于: SiC SBD:SiC SBD(SiC 双极器)是将硅碳和硅晶体作为元件材料,构造出极化硅碳双极器。它由两个正反向双极器组成,每个双极器具有独立的闸、漏和集电极。它属于压力可控元件,具有反向电流保护、发射和抑制功能。由于其...
瑞能SiC MOSFET的通态电阻随温度变化较小,在175℃结温时,导通阻抗仍可以保持在较低水平,该特性可以提升高温系统效率,降低器件选型余量,在较高应用环境温度下仍保持出色性能。 Part.4 瑞能SiC MOSFET命名规则标注在15V门极驱动电压下的Rdson,提供在较低门极驱动电压下工作的可能性,更容易在传统设计中直接导入替换,并...