TO-220-2L封装瞻芯碳化硅SiC SBD肖特基二极管650V 4A功率器件 瞻芯电子650V4A 9999 上海瞻芯 TO220-2 2023 ￥1.0000元2~-- PCS 上海奥思维尔电子有限公司 2年 查看下载 立即订购 查看电话 QQ联系 碳化硅SIC SBD WS3A020120K 1200V 20A 整流二极管 TO-247中广芯源 ...
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SiC能够以高频器件结构的SBD(肖特基势垒二极管)结构得到600V以上的高耐压二极管(Si的SBD最高耐压为200V左右)。 因此,如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结二极管(FRD:快速恢复二极管),能够明显减少恢复损耗。 有利于电源的高效率化,并且通过高频驱动实现电感等无源器件的小型化,而且可以降噪。广泛应用于空调、电源、光...
碳化硅肖特基二极管(Silicon Carbide Schottky Diode)是一种高性能半导体器件,具有低开启电压、高速开关、高温性能等优点,广泛应用于电源、驱动、逆变器、电动汽车等领域。它使用的是一种全新的技术,可为硅提…
从SiC-SBD的这些特征可以看出,替代Si-PND/FRD的优势是得益于SiC-SBD的“高速性”。 1.trr高速,因此可大幅降低恢复损耗,实现高效率 2.同样的原因,反向电流小,因此噪声小, 可减少噪声/浪涌对策元器件,实现小型化 3.高频工作,可实现电感等外围元器件的小型化 ...
SiC碳化硅二极管全称SiC碳化硅势垒二极管，又叫做SiC碳化硅肖特基二极管，属于碳化硅功率器件的一种，也是SiC碳化硅电力电子器件的一种，也称为第三代半导体。我们要知道SiC碳化硅二极管 SiC碳化硅势垒肖特基二极管 SiC SBD应用，那首先必须知道一些基本的概念。什么是第三代半导体？我们把SiC碳化硅功率器件和氮化镓功率器件统称为...
下图是相对于SiC-SBD和Si-FRD的正向电流IF的VF特性图。是从25℃到200℃按8个级别的温度条件测量的数据。 SiC-SBD随着温度的上升,IF开始流动,VF有些下降,但因电阻上升,斜率变缓和,在正常使用范围的IF下,VF上升。 Si-FRD随着温度的上升,VF单纯地下降。如图中的线条轨迹所示,无论哪个温度,斜率基本相同,VF单纯下...
SiC SBD:同样具有高耐压特性,但相对于SiC MOSFET来说,其耐压范围可能略小一些。不过,SiC SBD的耐压能力仍然远超过传统的硅基二极管。 2. 导通电阻 SiC MOSFET:具有较低的导通电阻,这得益于SiC材料的高载流子迁移率和低电阻率。低导通电阻意味着在导通状态下,器件的功耗更低,效率更高。
第2代SiC-SBD通过改善制造工艺,保持了与以往产品同等的漏电流和trr性能,同时将VF降低了约0.15V。因而改善了VF带来的传导损耗。 第3代致力于提高抗浪涌电流特性(IFSM)并改善漏电流(IR)性能,采用了JBS(Junction Barrier Schottky)结构。 JBS结构基本上是对IFSM和IR有效的结构,成功地进一步改善了第2代实现的低VF特性...