SiC-SBD和Si-PN结二极管 通过Si二极管来应对SBD以上的耐压的是PN结二极管（称为“PND”）。下图为Si-PN二极管的结构。SBD是仅电子移动，电流流动，而PN结二极管是通过电子和空穴（孔）使电流流动。通过在n-层积蓄少数载流子的空穴使阻值下降，从而同时实现高耐压和低阻值，但关断的速度会变慢。尽管FRD（快速恢复二极管...
SiC能够以高频器件结构的SBD(肖特基势垒二极管)结构得到600V以上的高耐压二极管(Si的SBD最高耐压为200V左右)。 因此,如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结二极管(FRD:快速恢复二极管),能够明显减少恢复损耗。 有利于电源的高效率化,并且通过高频驱动实现电感等无源器件的小型化,而且可以降噪。广泛应用于空调、电源、光...
SiCSBD压接式封装结构是由SiC基板、金属电极、封装材料和压接机构组成的。其中,SiC基板是一种具有高热稳定性、高电子迁移率和高电热导率的半导体材料,金属电极是用于连接SiC基板和外部电路的导体,封装材料是用于保护SiC基板和金属电极的材料,压接机构是用于将金属电极和封装材料压紧在SiC基板上的机构。 SiCSBD压接...
SiC能够以高频器件结构的SBD(肖特基势垒二极管)结构得到600V以上的高耐压二极管(Si的SBD最高耐压为200V左右)。 因此,如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结二极管(FRD:快速恢复二极管),能够明显减少恢复损耗。 有利于电源的高效率化,并且通过高频驱动实现电感等无源器件的小型化,而且可以降噪。 广泛应用于空调、电源、...
通过Si二极管来应对SBD以上的耐压的是PN结二极管(称为“PND”)。下图为Si-PN二极管的结构。SBD是仅电子移动,电流流动,而PN结二极管是通过电子和空穴(孔)使电流流动。通过在n-层积蓄少数载流子的空穴使阻值下降,从而同时实现高耐压和低阻值,但关断的速度会变慢。 尽管FRD(快速恢复二极管)利用PN结二极管提高了速度,但...
SiC SBD 芯片结构示意图 封装设计(工艺)维度 高结温器件开发的难点不止在于芯片本身,封装设计也有着很高的难度。传统SiC封装设计极限温度在175℃,当处于200℃温度时传统材料稳定性无法满足要求。长期工作在高温状态下会导致器件失效。 WSRSIC020120NP4-HT采用TO-247-2L封装,产品在框架的预处理工艺,框架设计,塑封料...
SiC能够以高频器件结构的SBD(肖特基势垒二极管)结构得到600V以上的高耐压二极管(Si的SBD[敏感词]耐压为200V左右)。 因此,如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结二极管(FRD:快速恢复二极管),能够明显减少恢复损耗。 有利于电源的高效率化,并且通过高频驱动实现电感等无源器件的小型化,而且可以降噪。 广泛应用于空调、电...
我们先从SiC肖特基势垒二极管(以下简称为"SBD")的结构开始介绍。如下图所示,为了形成肖特基势垒,将半导体SiC与金属相接合(肖特基结)。这种结构与Si肖特基势垒二极管基本相同,其重要特征是具备高速特性。 SiC-SBD的特点是不仅具有优异的高速性,同时实现了高耐压。提高Si-SBD的耐压只需增厚图中的n-型层、降低载流子浓度...
SiC-SBD的正向特性 Si-SBD的正向特性与Si-PND不同。这取决于物理特性和结构。尤其是温度特性,Si-FRD随着温度升高VF下降,传导损耗减少,但IF反而増加,从而可能陷入热失控状态。 而SiC-SBD随着温度升高,VF变高,不会热失控。但是VF上升,因此IFSM比Si-FRD低。