SiC能够以高频器件结构的SBD(肖特基势垒二极管)结构得到600V以上的高耐压二极管(Si的SBD最高耐压为200V左右)。 因此,如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结二极管(FRD:快速恢复二极管),能够明显减少恢复损耗。 有利于电源的高效率化,并且通过高频驱动实现电感等无源器件的小型化,而且可以降噪。广泛应用于空调、电源、光...
SiC碳化硅二极管全称SiC碳化硅势垒二极管，又叫做SiC碳化硅肖特基二极管，属于碳化硅功率器件的一种，也是SiC碳化硅电力电子器件的一种，也称为第三代半导体。我们要知道SiC碳化硅二极管 SiC碳化硅势垒肖特基二极管 SiC SBD应用，那首先必须知道一些基本的概念。什么是第三代半导体？我们把SiC碳化硅功率器件和氮化镓功率器件统称为...
SiC-SBD为形成肖特基势垒,将半导体SiC与金属相接合(肖特基结)。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同,仅电子移动、电流流动。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合结构,电流通过电子与空穴(孔)流动。 SiC-SBD和Si-SBD均具有高速性的特征,SiC-SBD不仅拥有优异的高速性且实现了高耐压。Si-SBD的耐压极限为200V,而SiC具有硅...
右图为SiC-MOSFET+SiC-SBD组成的全SiC模块BSM300D12P2E001(1200V/300A)与IGBT+FRD的模块在同一环境下实测的开关损耗结果比较。 Eon是开关导通时的损耗(含反向恢复损耗),Eoff是开关关断时的损耗,Err是体二极管的反向恢复损耗。 SiC-MOSFET没有类似IGBT关断时的尾电流,因此Eoff大幅减少。反向恢复电流也几乎没有,因...
富士电机发布第二代 SiC-SBD 系列 2021年10月，富士电机发布了用于数据中心和通信基站电源的“SiC-SBD（碳化硅-肖特基势垒二极管）系列”。新产品称为第 2 代，与该公司的第 1 代产品相比，通电期间的功率损耗（稳定损耗）减少了 16%。在新产品中，SiC衬底的厚度减少到传统产品的三分之一，并且缩短了电流流过的...
又称为碳化硅电力电子器件。显然碳化硅二极管、碳化硅肖特基二极管、SiC SBD属于第三代半导体。
SiC-SBD的发展 ROHM的SiC-SBD目前第2代是主流产品,已经实现近50种机型的量产销售。下图是第1代到第3代的正向电压与电流特性(VF vs IF)、以及正向电压与抗浪涌电流特性(VF vs IFSM)比较图。 第2代SiC-SBD通过改善制造工艺,保持了与以往产品同等的漏电流和trr性能,同时将VF降低了约0.15V。因而改善了VF带来的...
SiCSBD压接式封装结构是由SiC基板、金属电极、封装材料和压接机构组成的。其中,SiC基板是一种具有高热稳定性、高电子迁移率和高电热导率的半导体材料,金属电极是用于连接SiC基板和外部电路的导体,封装材料是用于保护SiC基板和金属电极的材料,压接机构是用于将金属电极和封装材料压紧在SiC基板上的机构。 SiCSBD压接...
碳化硅肖特基二极管(Silicon Carbide Schottky Diode)是一种高性能半导体器件,具有低开启电压、高速开关、高温性能等优点,广泛应用于电源、驱动、逆变器、电动汽车等领域。它使用的是一种全新的技术,可为硅提…
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