SiC-SBD和Si-SBD均具有高速性的特征,SiC-SBD不仅拥有优异的高速性且实现了高耐压。Si-SBD的耐压极限为200V,而SiC具有硅10倍的击穿场强,故ROHM已经开始量产1200V的产品,同时在推进1700V耐压的产品。 Si-PND通过在n-层积蓄少数载流子空穴而使电阻值下降,因此可同时实现远远超过Si-SBD的高耐压与低电阻,但关断速度...
SiC-SBD为形成肖特基势垒,将半导体SiC与金属相接合(肖特基结)。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同,仅电子移动、电流流动。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合结构,电流通过电子与空穴(孔)流动。 SiC-SBD和Si-SBD均具有高速性的特征,SiC-SBD不仅拥有优异的高速性且实现了高耐压。Si-SBD的耐压极限为200V,而SiC具有硅...
SiC碳化硅二极管全称SiC碳化硅势垒二极管，又叫做SiC碳化硅肖特基二极管，属于碳化硅功率器件的一种，也是SiC碳化硅电力电子器件的一种，也称为第三代半导体。我们要知道SiC碳化硅二极管 SiC碳化硅势垒肖特基二极管 SiC SBD应用，那首先必须知道一些基本的概念。什么是第三代半导体？我们把SiC碳化硅功率器件和氮化镓功率器件统称为...
SiC-SBD和Si-PN结二极管 通过Si二极管来应对SBD以上的耐压的是PN结二极管（称为“PND”）。下图为Si-PN二极管的结构。SBD是仅电子移动，电流流动，而PN结二极管是通过电子和空穴（孔）使电流流动。通过在n-层积蓄少数载流子的空穴使阻值下降，从而同时实现高耐压和低阻值，但关断的速度会变慢。尽管FRD（快速恢复二极管...
它所采用的材料是环氧树脂,这种高级环氧材料具有非常好的抗热性,防氧化性及绝缘性都非常好。我们知道应用领域多为电源高频整流环节,所以对安全性要求比较高,需要拥有很好绝缘性来避免电路短路等故障发生。正是这样,采用全塑封装的能有效避免内部电路与外界接触,更好的保护电路安全。
一、 SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管 下面从SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)的结构开始介绍。如下图所示,为了形成肖特基势垒,将半导体SiC与金属相接合(肖特基结)。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同,其重要特征也是具备高速特性。 而SiC-SBD的特征是其不仅拥有优异的高速性还同时实现了高耐压。要想提高Si...
半导体产业网讯：近日，国星光电开发的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件成功通过第三方权威检测机构可靠性验证，并获得AEC-Q101车规级认证。这标志着国星光电第三代半导体功率器件产品从工业领域向新能源汽车领域迈出坚实步伐。提升性能，做实高品质产品 通过认证的国星光电SiC-SBD器件采用TO-247-2L封装...
又称为碳化硅电力电子器件。显然碳化硅二极管、碳化硅肖特基二极管、SiC SBD属于第三代半导体。
一、SicSBD阳极金属的作用 SicSBD阳极金属是与碳化硅形成肖特基接触的金属,其作用是形成肖特基势垒,限制电流流动,从而实现二极管的整流功能。不同的阳极金属对肖特基势垒的高度有不同的影响,因此对器件性能也有不同的影响。 二、SicSBD阳极金属对器件性能的影响 1. 肖...
国星光电SiC-SBD通过车规级认证 e公司讯，国星光电消息，国星光电开发的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件通过第三方权威检测机构可靠性验证，并获得AEC-Q101车规级认证。这标志着国星光电第三代半导体功率器件产品从工业领域向新能源汽车领域迈出坚实步伐。