SiC performance @ Si Cost flowNPC 1: Now available for 1500 VDC applications up to 200kVA. The latest flowNPC 1 split is here to boost your device’s power density. Out now, the latest flowNPC 1 split is here to boost your device’s power density. Featuring tandem diodes in combination...
PD4H混碳电控产品功率模块采用的是标准HPD封装,与当前主流的Si和SiC模块的封装保持一致,其逆变模组采用电容、功率砖和控制板叠放的结构,SiC模块尺寸仅为190×150×90mm,外部接口完全兼容当前汇川联合动力的逆变砖、三合一和多合一等产品,便于客户在现有SiC产品上直接替代升级以降本提效。 混碳逆变模组尺寸 在应用电路...
关于二极管&晶闸管 (Si/SiC) 英飞凌提供分立式、模块式和圆盘式封装的二极管和晶闸管,适用于各种应用、电压、温度和功率等级。这些设备具有高过载能力和稳定的导通特性,可提供浪涌保护,从而减少停机时间,延长使用寿命。它们还具有高导通 di/dt 容量,从而提高了效率和可靠性。 所有二极管和晶闸管均按照严格的标准制造和组...
Si-Sic是由93%硅和7%碳组成的复合材料,具有比其他材料更高的硬度和强度,这使得Si-Sic能够承受更高的机械应力,更高的温度环境,以及更强的电磁波辐射,并可以用于制作高精度的机械零件,电子元器件等。 N-Sic是由99%的硅,1%的氮和少量的碳组成的材料,该材料的熔融温度比Si-Sic低,相比于纯硅,N-Sic的可熔性更...
汇川联合动力:发布Si-SiC混合模块电机控制器——PD4H混碳电控 SiC器件带来了效率上的飞跃,但其高昂的成本却成为大规模普及的绊脚石。汇川联合动力近日推出了采用Si和SiC混合功率模块的电机控制器产品——PD4H混碳电控,为客户提供了兼具高性能与高性价比的理想选择。
产品详解PD4H混碳电控基于第四代电机控制器平台进行开发,采用英飞凌新一代的IGBT和SiC MOSFET混合模块,优化并利用EDT3 IGBT 和Gen2 SiC的技术优势,使得两种芯片性能兼容匹配,发挥不同芯片在不同工况下的技术优势,具备效率高、兼容性强、性能强劲等特点,其峰值功率可覆盖150~250kW的动力总成系统,满足A/B/C级轿车、...
Experimental investigations on the laser cutting of thick silicon infiltrated silicon carbide (Si-SiC) elements are presented. Si-SiC is a fully dense ceramic composite with high hardness and chemical and thermal stability, which made it a valuable material in severe conditions, however, its machinin...
MOSFET (Si/SiC) Power MOSFETs已成為大多數工業和汽車應用的組成部分。英飛凌提供業界領先的解決方案,滿足各式各樣的需求。英飛凌創新的OptiMOS™、CoolMOS™和StrongIRFET™低壓和中壓Power MOSFETs在電源系統設計的關鍵規格方面始終滿足最高的質量和性能要求,例如導通電阻和品質因數。此外,CoolMOS™超級結MOSFET...
MOSFET (Si/SiC) MOSFET (Si/SiC) Power MOSFETs have become an integral part of most of industrial and automotive applications, and Infineon offers leading-edge solutions to suit all needs. Infineon’s innovative OptiMOS™, CoolMOS™, and StrongIRFET™ low and medium voltage power MOSFETs ...
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