1/2 2012.1.18 SiC パワー半導体向け高耐熱封止材を開発 ナノテクノロジーを応用 株式会社日本触媒(本社:大阪市中央区、社長:池田全德、証券番号:4114.T)は、SiC パワー半導体に適した新規な高耐熱封止材を開発しました。本品は、当社独自のナノハイブリッド技術* ) を応用したもので、既にサン...
SiC半導体基板の超精密切断/研削/研磨技術と研磨面評価 河田研治 - 《技術情報協会9月講習会,:2011》 被引量: 0发表: 2011年 SiC半導体表面の紫外線照射研磨加工へのTiO{sub}2粒子およびCeO{sub}2粒子の影響 6H-SiCのSi終端面に対して,機械的エネルギを伴う複雑な光化学反応にもとづく新しい研磨技術...
20 2015 特集 SiC半導体ウエハの加工技術* Processing Engineering of the SiC Semiconductor Wafer 長屋正武 Masatake NAGAYA 加藤智久 Tomohisa KATO 貴堂高徳 Takanori KIDO 河田研治 Kenji KAWATA 平野真也 Shinya HIRANO SiC(Silicon Carbide)has been attracting the considerable attention that it will become...
本稿では、SiCを中心にワイドバンドギャップ半導体を用いた次世代パワーデバイスの開発動向と当社での取り組みについて紹介する。 机译:SiC Power Device的研究和开发是一个草案H,在90岁的前半部分,600V-6A的SBD(肖特基势垒二极管)在2002年上半年可商购获得600V-6A的SBD(肖特基势垒二极管)。它成了...
20億ユーロを投資する同工場の第1フェーズは、SiCパワー半導体の製造に重点を置き、窒化ガリウム (GaN) エピタキシーを含む予定です。SiC半導体は、電気をより効率的にスイッチングし、より小型の設計が可能であるため、高出力アプリケーションに革命をもたらし、電気自動車、急速充電ステーショ...
昭和電工は、有限責任事業組合エシキャット·ジャパン(茨城県つくば市)からパワー半導体用SiC(炭化ケイ素)エピタキシャルウエハー事業を2008年末までに譲り受ける。 譲受後量産を開始し、市場の拡大を促進するとともに事業規模の拡張を図る。 机译:昭和电工将在2008年底之前接管Esicat Japan(茨城县筑...
多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクスは、ルノー・日産自動車・三菱自動車(アライアンス)の電気自動車に搭載される先進的なオンボード・チャージャ(OBC)に向けた高効率SiCパワー半導体のサプライヤに選ばれました。 ル...
新しいHybridPACK™ Drive CoolSiC™は、電気自動車 (EV) のトラクション インバータ向けに最適化された1200Vのブロック電圧を持つフルブリッジ モジュールです。このパワーモジュールは、高電力密度および高性能アプリケーション向けの車載用CoolSiCトレンチMOSFET技術をベースにしていま...
be modified if you want to process a compound semiconductor because a wafer of compound semiconductor is small (1 to 5 inch). By using a SC, you can do process for small size of samples with different shape, it is very useful for compound semiconductors, such as SiC, GaN ,InP and ...
15pXG-1 6H-SiC(0001)-2×2 Si-rich 清浄表面の構造(表面界面構造 : 半導体, 領域 9) 福山,亮,星野,... - 日本物理学会講演概要集 被引量: 0发表: 2004年 15pXG-2 Initial reactions at ultra thin Ni/6H-SiC(0001) interfaces Y Matsubara,Y Hoshino,R Fukuyama,... - 《Meeting Abstracts of ...