系统标签: 高耐 sic 触媒 粒子 固形 液状 1/2 2012.1.18 SiC パワー半導体向け高耐熱封止材を開発 ナノテクノロジーを応用 株式会社日本触媒(本社:大阪市中央区、社長:池田全德、証券番号:4114.T)は、SiC パワー半導体に適した新規な高耐熱封止材を開発しました。本品は、当社独自のナノハイブリ...
高効率の200mm SiCパワー半導体工場は、インフィニオンのパワー半導体の世界的リーダーとしての役割を強化します。20億ユーロを投資する同工場の第1フェーズは、SiCパワー半導体の製造に重点を置き、窒化ガリウム (GaN) エピタキシーを含む予定です。SiC半導体は、電気をより効率的にスイッチングし...
多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクスは、ルノー・日産自動車・三菱自動車(アライアンス)の電気自動車に搭載される先進的なオンボード・チャージャ(OBC)に向けた高効率SiCパワー半導体のサプライヤに選ばれました。 ル...
昭和電工は、有限責任事業組合エシキャット·ジャパン(茨城県つくば市)からパワー半導体用SiC(炭化ケイ素)エピタキシャルウエハー事業を2008年末までに譲り受ける。 譲受後量産を開始し、市場の拡大を促進するとともに事業規模の拡張を図る。 机译:昭和电工将在2008年底之前接管Esicat Japan(茨城县筑...
このパワーモジュールは、高電力密度および高性能アプリケーション向けの車載用CoolSiCトレンチMOSFET技術をベースにしています。これにより、特に800Vのバッテリーシステムや大容量のバッテリーを搭載した車両において、より長い航続距離を可能にするインバータの高効率化とバッテリー コスト...
本稿では、SiCを中心にワイドバンドギャップ半導体を用いた次世代パワーデバイスの開発動向と当社での取り組みについて紹介する。 机译:SiC Power Device的研究和开发是一个草案H,在90岁的前半部分,600V-6A的SBD(肖特基势垒二极管)在2002年上半年可商购获得600V-6A的SBD(肖特基势垒二极管)。它成了...