SiCSBD压接式封装结构是由SiC基板、金属电极、封装材料和压接机构组成的。其中,SiC基板是一种具有高热稳定性、高电子迁移率和高电热导率的半导体材料,金属电极是用于连接SiC基板和外部电路的导体,封装材料是用于保护SiC基板和金属电极的材料,压接机构是用于将金属电极和封装材料压紧在SiC基板上的机构。 SiCSBD压接...
但是由于高电压下碳化硅的肖特基势垒比硅薄,如果进一步提高碳化硅肖特基势垒二极管的阻断电压,隧穿效应会导致反向漏电流增大,这大大限制了碳化硅SBD的更高压应用。 图表4 | SBD结构与电路图形符号 碳化硅SBD与硅SBD相比,总容性电荷(Qc)较小,能够在实现高速开关操作的同时减少开关损耗,因此它们被广泛用于电源的功率因数校...
图2 SiC SBD 芯片结构示意图 封装设计(工艺)维度 高结温器件开发的难点不止在于芯片本身,封装设计也有着很高的难度。传统SiC封装设计极限温度在175℃,当处于200℃温度时传统材料稳定性无法满足要求。长期工作在高温状态下会导致器件失效。 WSRSIC020120NP4-HT采用TO-247-2L封装,产品在框架的预处理工艺,框架设计,塑...
而在3D模块封装结构中,两块功率芯片或者功率芯片和驱动电路通过金属通孔或凸块实现垂直互连,下图表是一种利用紧压工艺(Press-Pack)实现的3D模块封装,这种紧压工艺采用直接接触的方式而不是引线键合或者焊接方式实现金属和芯片间的互连,如下图所示,该结构包含3层导电导热的平板,平板间放置功率芯片,平板的尺寸由互连的...
这种结构与Si肖特基势垒二极管基本相同,其重要特征是具备高速特性。 SiC-SBD的特点是不仅具有优异的高速性,同时实现了高耐压。提高Si-SBD的耐压只需增厚图中的n-型层、降低载流子浓度,但这会导致阻值上升和VF增高等损耗问题,无法实际应用。因此,Si-SBD的耐压200V已经是极限。而SiC拥有超过硅10倍的绝缘击穿场强,...
SiC SBD 芯片结构示意图 封装设计（工艺）维度 高结温器件开发的难点不止在于芯片本身，封装设计也有着很高的难度。传统SiC封装设计极限温度在175℃，当处于200℃温度时传统材料稳定性无法满足要求。长期工作在高温状态下会导致器件失效。WSRSIC020120NP4-HT采用TO-247-2L封装，产品在框架的预处理工艺，框架设计，塑封...
罗姆SiC SBD采用全新封装设计 爬电距离约为标准产品的1.3倍 罗姆半导体宣布推出全新表面贴装型SiC肖特基势垒二极管(SBD),其引脚间爬电距离有所延长,导致绝缘电阻增高。 首批产品阵容包含八种型号(SCS2xxxNHR),用于车载充电器(OBC)等汽车应用。罗姆计划于2024年12月再推出八种型号(SCS2xxxN),用于FA设备和光伏逆变器...
东芝电子今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品，为其面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备降低功耗。东芝现已开始提供该系列的十款新产品，其中包括采用TO-247-2L封装的五款产品和采用TO-247封装的五款产品。最新TRSxxx120Hxx系列...
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出最新一代[1]用于工业设备的碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBDs）——“TRSxxx65H系列”。首批12款产品（均为650V）中有7款产品采用TO-220-2L封装，其余5款采用DFN8×8封装，于今日开始支持批量出货。新产品在第3代SiC SBD芯片中使用了一种新金属，...
SiC二极管中常见的结构包括PiN二极管、肖特基二极管(SBD)、结势垒肖特基二极管(JBS)和混合式PIN-肖特基二极管等。这些结构在正向和反向偏置下表现出不同的工作机制: PiN二极管:中间为低掺杂浓度的N-漂移区(基区),两边为高掺杂浓度的P+和N+区域。在正向偏置时,P区和N区的多子注入到I区并复合,形成低阻特性;在反向...