SiC能够以高频器件结构的SBD(肖特基势垒二极管)结构得到600V以上的高耐压二极管(Si的SBD最高耐压为200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结二极管(FRD:快速恢复二极管),能够明显减少恢复损耗。有利于电源的高效率化,并且通过高频驱动实现电感等无源器件的小型化,而且可以降噪。 广泛应用于空调、电源、光伏...
控制方式:SiC MOSFET是电压控制器件,而SiC SBD是电流控制器件。 应用场景:SiC MOSFET更适合作为开关元件在高频、高效率的逆变器和转换器中使用;而SiC SBD通常用作自由轮流二极管或者在低损耗的整流应用中。 性能特点:SiC MOSFET提供高频开关能力和高温下的稳定性,SiC SBD则提供极低的正向压降和快速开关特性。 在许多...
SiC肖特基势垒二极管(SBD)的温度特性是什么? 图1显示了碳化硅(SiC)SBD正向电压的每个温度的IF-VF曲线示例。在IF较小的区域内,正向电压(VF)随温度升高而降低;如为Si二极管(图2),当电流较大时,正向电压随温度升高而升高。 这种变化是由半导体电阻元件的热阻变化引起的。
表示Si-SBD、Si-PND/FRD与SiC-SBD耐压的覆盖范围。可以看出SiC-SBD基本覆盖了Si-PND/FRD的耐压范围,因此可改善这个范围的Si-PND/FRD的trr。 SiC-SBD的trr 通过与Si-FRD的比较介绍过Si-SBD具有优异的trr特性,而且几乎没有温度及电流依赖性。 SiC-SBD的正向特性 Si-SBD的正向特性与Si-PND不同。这取决于物理特...
什么是SiC肖特基势垒二极管(SBD)热失控*? 由于SiC SBD的漏电流约为Si SBD的1/10,因此不太可能发生热失控。 对于传统Si SBD,有些产品即使在80%的额定电压下也有较大的漏电流,从热失控的角度来看这些产品很难使用Si SBD。 由于芯片材料(SiC)以及芯片设计优化(JBS结构:结势垒肖特基结构),我们的SiC SBD的漏电流约...
SiC是在热、化学、机械方面都非常稳定的化合物半导体,对于功率元器件来说的重要参数都非常优异。作为元件,具有优于Si半导体的低阻值,可以高速工作,高温工作,能够大幅度削减从电力传输到实际设备的各种功率转换过程中的能量损耗。 SiC半导体的功率元器件SiC-SBD(肖特基势垒二极管)和SiC-MOSFET已于2010年*1量产出货,SiC的...
前些日子,三菱电机宣布将推出第二代全SiC(碳化硅)功率模块,模块中的 SiC-MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和 SiC-SBD(肖特基势垒二极管)芯片具备的低功耗和高载频运行的特性,将能帮助各工业领域开发出更高效、更小、更轻的动力设备组件。该系列模块预计在明年1月份开始正式发售(还有一个月哦)。
SiC科普小课堂 | 什么是SBD和PiN二极管? 今天,基本半导体SiC科普小课堂又开课啦! 本次小课堂继续由基本半导体技术营销总监——魏炜老师为小伙伴们讲述肖特基二极管(SBD)和PiN二极管的区别,以及硅材料和碳化硅材料在与上述两种器件组合中的不同表现和性能。满满干货,等你一睹为快!
目前, SiC SBD 二极管和 MOSFET 晶体管目前应用最广泛、产业化成熟度最高,SiC IGBT 和 GTO 等器件由于技术难度更大,仍处于研发阶段,距离产业化有较大 的差距。 SiC 器件因其材料特性表现优越电气性能: 1)导通、开关/恢复损耗更低:宽带隙使得 SiC 器件漏电流更少,并且在相同耐压条件下,SiC 器件的导通电阻约为...
为了顺应这个趋势,SiC在汽车应用中也会变化,比如OBC在2017年之前是以SiC SBD为主,2017年后SiC SBD+SiC MOS已经成熟;DCDC也在2018年由Si MOS 演变成SiC MOS为主;逆变器目前仍以IGBT+Si FRD为主,SiC MOS预计在2021年商用;无线充电,SiC SBD+SiC MOS正在研发中;用于大功率DCDC(用于快速充电)的SiC MOS也正在...