SiC能够以高频器件结构的SBD(肖特基势垒二极管)结构得到600V以上的高耐压二极管(Si的SBD最高耐压为200V左右)。 因此,如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结二极管(FRD:快速恢复二极管),能够明显减少恢复损耗。 有利于电源的高效率化,并且通过高频驱动实现电感等无源器件的小型化,而且可以降噪。广泛应用于空调、电源、光...
SiC碳化硅二极管全称SiC碳化硅势垒二极管，又叫做SiC碳化硅肖特基二极管，属于碳化硅功率器件的一种，也是SiC碳化硅电力电子器件的一种，也称为第三代半导体。我们要知道SiC碳化硅二极管 SiC碳化硅势垒肖特基二极管 SiC SBD应用，那首先必须知道一些基本的概念。什么是第三代半导体？我们把SiC碳化硅功率器件和氮化镓功率器件统称为...
碳化硅二极管是一种结合高压快速、低功耗和耐高温的理想器件。目前,世界上已成功开发出多种碳化硅器件。碳化硅SBD作为零恢复二极管,极大地改善了高频电源电路。碳化硅二极管独特的高温特性使其在高温环境下的电力应用中具有潜在优势。 碳化硅二极管广泛应用于工业领域,用于重型电机和工业设备的高频功率变换器,具有高效率、...
我们先从SiC肖特基势垒二极管(以下简称为"SBD")的结构开始介绍。如下图所示,为了形成肖特基势垒,将半导体SiC与金属相接合(肖特基结)。这种结构与Si肖特基势垒二极管基本相同,其重要特征是具备高速特性。 SiC-SBD的特点是不仅具有优异的高速性,同时实现了高耐压。提高Si-SBD的耐压只需增厚图中的n-型层、降低载流子浓度...
电动汽车是SiC功率器件的主要应用领域之一。在电动汽车中,SiC功率器件被广泛应用于电机驱动系统、电池管理系统和充电系统等关键部件中。具体来说: 电机驱动系统:SiC MOSFET和SiC SBD等功率器件可用于电机驱动系统中的逆变器和整流器等部件,以提高电机驱动系统的效率和可靠性。相比传统的硅功率器件,SiC功率器件能够在更高...
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瑞能SiC SBD产品有650V和1200V 两种耐压规格 以更小的芯片尺寸、更薄的晶圆厚度 提供最佳产品竞争力 问 请举例说明瑞能的SiC SBD系列产品的优势都有什么? 我将以最新一代的650V G6产品为例,为您做以下讲解! 答 650V G6产品着重优化了肖特基接触与PN结面积比例,有着超低Vf(标准值1.26V),而且通过外延掺杂浓...
SiC功率器件，特别是SiC肖特基势垒二极管（SBD），凭借其独特的性能，在多种应用领域展现出巨大优势。SiC-SBD能够实现高达600V以上的耐压，远超Si-SBD的200V左右，这使得其在电源管理、功率调节器、PFC电路和整流桥电路中发挥关键作用。替换现有快速恢复二极管（FRD）后，SiC-SBD大幅降低恢复损耗，有利于...
1. SiC功率器件，特别是SiC肖特基势垒二极管（SBD），以其独特性能在众多应用领域中显示出显著优势。2. SiC-SBD能够承受超过600V的电压，远超硅基肖特基势垒二极管（Si-SBD）的约200V，因此在电源管理、功率调节器、功率因数校正（PFC）电路和整流桥电路中扮演关键角色。3. 通过替代现有的快速恢复二极管...